Publication:
An Accurate Analytical Modeling of Contact Resistances in MOSFETs

Дата
2021
Авторы
Turin, V. O.
Bokitko, G. D.
Malich, D. S.
Zebrev, G. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 IEEE.We have presented an analytical physics-based model, which can continually describe the MOSFET I- V curves in all operation modes taking into account the finite source-drain resistances.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
An Accurate Analytical Modeling of Contact Resistances in MOSFETs / Turin, V.O. [et al.] // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM. - 2021. - 2021-September. - P. 97-99. - 10.1109/MIEL52794.2021.9569104
URI
https://www.doi.org/10.1109/MIEL52794.2021.9569104
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85118441082&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/24913
Коллекции
Публикации