Publication:
The design and testing issues of radiation tolerant microwave amplifiers implemented in the domestic GaAs pHEMT 0.5 mu m process

Файлы
W2991152430.pdf(1.74 MB)
Дата
2019
Авторы
Sotskov, D.
Kuznetsov, A.
Usachev, N.
Elesin, V.
Selishchev, I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
The investigation results of the possibility of manufacturing radiation tolerant microwave amplifiers implementing in domestic GaAs D-mode pHEMT 0.5 mu m process are presented in this work. The amplifier with an operating frequency range from 0.1 GHz to 3.5 GHz, gain above 15 dB, noise figure below 2.2 dB, output linearity above 17 dBm is designed, produced and measured. The characteristic property of the amplifier is a single positive supply voltage and extended frequency range up to 100 MHz provided by the external capacitor circuit. Transient radiation effects in the amplifier are investigated up to the dose rate value of 4.9.10(9) a.u./s. The recovery time does not exceed 4 mu s according to the experimental results.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
The design and testing issues of radiation tolerant microwave amplifiers implemented in the domestic GaAs pHEMT 0.5 mu m process / Sotskov, D [et al.] // 29TH INTERNATIONAL CRIMEAN CONFERENCE: MICROWAVE and TELECOMMUNICATION TECHNOLOGY (CRIMICO2019). - 2019. - 30. - 10.1051/itmconf/20193010001
URI
https://www.doi.org/10.1051/itmconf/20193010001
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000568227400138
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/19565
Коллекции
Публикации