Персона: Барбашов, Вячеслав Михайлович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Барбашов
Имя
Вячеслав Михайлович
Имя
4 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 4 из 4
- ПубликацияТолько метаданныеIntegral estimate of LSI radiation hardness as a fuzzy number of multiplicity of nodes(2020) Barbashov, V. M.; Trushkin, N. S.; Osipov, A. K.; Барбашов, Вячеслав Михайлович© Springer Nature Switzerland AG 2020.The analysis of the LSI behavior under radiation exposure at functional and logical level of description was carried out. It is shown that there are deterministic and non-deterministic failures typical when exposed to ionizing radiation. In the first case, the behavior of complex devices is determined by the specific ratio of the radiation-sensitive parameters of the elements, in the second case—the statistical variation of the failure threshold levels for the same type of samples.
- ПубликацияТолько метаданныеFeatures of the model of main functional failures of digital CMOS VLSIs under the action of ionizing radiation(2019) Barbashov, V. M.; Trushkin, N. S.; Барбашов, Вячеслав Михайлович© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. Annotation. The methods of functional-logical modeling of very large digital integrated circuits (VLSI) under the influence of ionizing radiation are considered. It is shown that the multiplicity of the node and the power of the spectrum are more accurately described when using the concept of fuzzy multiplicity. Methods are proposed for predicting LSI failures when exposed to ionizing radiation, which are based on the model of fuzzy digital and probabilistic reliability automata.
- ПубликацияОткрытый доступМетоды прогнозирования поведения цифровых интегральных схем при радиационных и электромагнитных воздействиях на основе аппарата нечетких функций(2010) Барбашов, В. М.; Барбашов, Вячеслав Михайлович
- ПубликацияОткрытый доступUsing probabilistic fuzzy models for the prediction of functional failures of microwave LSI with radiation exposure(2019) Barbashov, V.; Trushkin, N.; Osipov, A.; Барбашов, Вячеслав МихайловичThe article presents an analysis of microwave LSI behavior under radiation exposure at the functional-logical level of description. The analysis is based on fuzzy digital automaton and topological probabilistic models of workability assessment. It is shown that in certain cases both deterministic and non-deterministic failures are typical. Each operation threshold in logic elements under radiation influence has a zone of uncertainty and can be expressed quantitatively by a fuzzy number. This case, the real nature of microwave LSI radiation behavior is determined by the specific ratio of radiation-sensitive parameters of its elements and by taking into account the influence of their statistical scatter. Methods are proposed for simulating failures of microwave LSI under radiation exposure that are based on the model of a fuzzy digital Brauer automaton and a probabilistic reliability automaton.