Publication:
Integral estimate of LSI radiation hardness as a fuzzy number of multiplicity of nodes

Дата
2020
Авторы
Barbashov, V. M.
Trushkin, N. S.
Osipov, A. K.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© Springer Nature Switzerland AG 2020.The analysis of the LSI behavior under radiation exposure at functional and logical level of description was carried out. It is shown that there are deterministic and non-deterministic failures typical when exposed to ionizing radiation. In the first case, the behavior of complex devices is determined by the specific ratio of the radiation-sensitive parameters of the elements, in the second case—the statistical variation of the failure threshold levels for the same type of samples.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Barbashov, V. M. Integral estimate of LSI radiation hardness as a fuzzy number of multiplicity of nodes / Barbashov, V.M., Trushkin, N.S., Osipov, A.K. // IFMBE Proceedings. - 2020. - 77. - P. 811-814. - 10.1007/978-3-030-31866-6_144
Коллекции