Персона:
Богданов, Глеб Сергеевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Богданов
Имя
Глеб Сергеевич
Имя

Фильтры

20191
1
1
Сброс фильтров

Настройки

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 1 из 1
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Nonthermal Mechanism of Defect Formation in the CdHgTe Semiconductor on Exposure to Soft X-rays
    (2019) Sredin, V. G.; Ramakoti, R. S.; Anan'in, O. B.; Melekhov, A. P.; Gerasimov, I. A.; Bogdanov, G. S.; Novikov, I. K.; Frolova, I. V.; Dzhumaev, P. S.; Рамакоти, Рави Шрираджа; Мелехов, Андрей Петрович; Герасимов, Иван Александрович; Богданов, Глеб Сергеевич; Новиков, Игорь Кимович; Джумаев, Павел Сергеевич
    © 2019, Pleiades Publishing, Ltd.The effect of irradiation with soft X-rays produced by a laser plasma source equipped with an X-ray concentrator on the properties of the CdHgTe semiconductor are investigated. For this purpose, the mass concentration of atoms in the near-surface layer of the material is measured. It is demonstrated that the action of soft X-ray radiation leads to change in the solid-solution composition at the surface via a nonthermal mechanism and generates surface defects.