Персона: Клочков, Алексей Николаевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Клочков
Имя
Алексей Николаевич
Имя
4 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 4 из 4
- ПубликацияТолько метаданныеSilicon-Doped Epitaxial Films Grown on GaAs(110) Substrates: the Surface Morphology, Electrical Characteristics, and Photoluminescence Spectra(2020) Galiev, G. B.; Klimov, E. A.; Pushkarev, S. S.; Zaytsev, A. A.; Klochkov, A. N.; Клочков, Алексей Николаевич© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of studies of the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence properties of epitaxial GaAs films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(110) substrates and doped with Si are reported. A series of samples is grown at a temperature of 580°C with the arsenic/gallium flow ratio in the range from 14 to 80. By analyzing the photoluminescence spectra of the samples, the behavior of Si atoms in GaAs is interpreted with consideration for the occupation of Ga or As sites by Si atoms (i.e., for the formation of SiGa and SiAs point defects) and the formation of vacancies of arsenic and gallium VAs and VGa. In the analysis, the photoluminescence spectra of the samples on (110)-oriented substrates are compared with the photoluminescence spectra of similar samples on (100)- and (111)A-oriented substrates.
- ПубликацияТолько метаданныеTHz quantum cascade lasers with two-photon emission in the gain module(2022) Khabibullin, R. A.; Pushkarev, S. S.; Galiev, R. R.; Ponomarev, D. S.; Vasil'evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.; Klochkov, A. N.; Васильевский, Иван Сергеевич; Виниченко, Александр Николаевич; Клочков, Алексей НиколаевичA new lasing scheme with sequential two-photon emission in the gain module for terahertz quantum cascade laser (THz QCL) is proposed and experimentally demonstrated. THz QCLs based on MBE-and MOCVD-grown structures with two-photon design have a lasing frequency of 3.8 THz and maximum operation temperature around 100 K. © 2022 IEEE.
- ПубликацияТолько метаданныеSi-Doping of Low-Temperature-Grown GaAs Heterostructures on (100) and (111)A GaAs Substrates(2023) Klochkov, A. N.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A.; Pushkarev, S. S.; Клочков, Алексей Николаевич
- ПубликацияТолько метаданныеSurface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates(2023) Klimov, E. A.; Pushkarev, S. S.; Klochkov, A. N.; Mozhaeva, M. O.; Клочков, Алексей Николаевич