Publication:
Silicon-Doped Epitaxial Films Grown on GaAs(110) Substrates: the Surface Morphology, Electrical Characteristics, and Photoluminescence Spectra

Дата
2020
Авторы
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Pushkarev, S. S.
Zaytsev, A. A.
Klochkov, A. N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of studies of the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence properties of epitaxial GaAs films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(110) substrates and doped with Si are reported. A series of samples is grown at a temperature of 580°C with the arsenic/gallium flow ratio in the range from 14 to 80. By analyzing the photoluminescence spectra of the samples, the behavior of Si atoms in GaAs is interpreted with consideration for the occupation of Ga or As sites by Si atoms (i.e., for the formation of SiGa and SiAs point defects) and the formation of vacancies of arsenic and gallium VAs and VGa. In the analysis, the photoluminescence spectra of the samples on (110)-oriented substrates are compared with the photoluminescence spectra of similar samples on (100)- and (111)A-oriented substrates.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Silicon-Doped Epitaxial Films Grown on GaAs(110) Substrates: the Surface Morphology, Electrical Characteristics, and Photoluminescence Spectra / Galiev, G.B. [et al.] // Semiconductors. - 2020. - 54. - № 11. - P. 1417-1423. - 10.1134/S1063782620110093
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063782620110093
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85094891334&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000584489500008
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/22525
Коллекции
Публикации