Publication:
Si-Doping of Low-Temperature-Grown GaAs Heterostructures on (100) and (111)A GaAs Substrates

Дата
2023
Авторы
Klochkov, A. N.
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Pushkarev, S. S.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Si-Doping of Low-Temperature-Grown GaAs Heterostructures on (100) and (111)A GaAs Substrates / Klochkov, A. N. [et al.] // Physica Status Solidi (B) Basic Research. - 2023. - 260. - № 2. - 10.1002/pssb.202200297
URI
https://www.doi.org/10.1002/pssb.202200297
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85147998600&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000894041600001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/29988
Коллекции
Публикации