Персона: Васильевский, Иван Сергеевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Научная группа
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Васильевский
Имя
Иван Сергеевич
Имя
19 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 19
- ПубликацияТолько метаданныеModelling of Quantum-confined Stark Effect in III-V Heterostructures for Electro-optic Modulator Applications(2019) Sibirmovsky, Y. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич© 2019 IEEE.The problem of modelling the absorption coefficient and refractive index spectra of III-V heterostructures with multiple quantum wells and superlattices under applied electric field is considered. This is a crucial step in the design of efficient and compact electro-optic modulators. The goal of this work is to find a simple, fast and reliable method to qualitatively compare various heterostructure designs. Which is why two-band effective mass approximation is used here. The paper contains comparison of existing methods as well as some new results.
- ПубликацияОткрытый доступМЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Галиев, Г. Б.; Грехов, М. М.; Щербачев, К. Д.; Сарайкин, В. Д.; Лаврухин, Д. В.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Щербачев, Олег ВячеславовичРНЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs гетероструктуры являются одним из самых широко используемых базовых материалов в СВЧ электронике для создания транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС). Данные структуры содержат большое число слоев, как основных, так и вспомогательных, из твердых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Для получения требуемой зонной структуры и характеристик образцов необходимо жестко контролировать состав и толщину данных слоев. Цель работы состояла в реализации технологии РНЕМТ гетероструктур с использованием методов нанометрологии, обеспечивающими точность и воспроизводимость технологических параметров не хуже 95%. Для роста на установке МЛЭ Riber Compact 21T использовались импортные ОСЧ металлы производства Azelis Electronics. Предельный вакуум в камере роста при замороженных криопанелях и с перекрытым потоком As4 составлял до 1-2х10-11 Торр. Одним из важных факторов получения стабильной и воспроизводимой скорости роста, состава и толщины слоев РНЕМТ гетероструктур являлось получение долговременной стабильности потоков и учет быстрых переходных процессов при открытии заслонок.
- ПубликацияТолько метаданныеElectron-Quantum Transport in Pseudomorphic and Metamorphic In 0.2 Ga 0.8 As-Based Quantum Wells(2019) Vinichenko, A. N.; Safonov, D. A.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Виниченко, Александр Николаевич; Сафонов, Данил Андреевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd. Abstract: Metamorphic high-electron-mobility transistor (HEMT) structures based on deep In 0.2 Ga 0.8 As/In 0.2 Al 0.8 As quantum wells (0.7 eV for Γ electrons) with different metamorphic buffer designs are implemented and investigated for the first time. The electronic properties of metamorphic and pseudomorphic HEMT structures with the same doping are compared. It is found that, over a temperature range of 4–300 K, both the electron mobility and concentration in the HEMT structure with a linear metamorphic buffer are higher than those in the pseudomorphic HEMT structure due to an increase in the depth of the quantum well. Low-temperature magnetotransport measurements demonstrate that the quantum momentum-relaxation time decreases considerably in metamorphic HEMT structures because of enhanced small-angle scattering resulting from structural defects and inhomogeneities, while the dominant scattering mechanism in structures of both types is still due to remote ionized impurities.
- ПубликацияТолько метаданныеDonor ionization tuning in AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT quantum wells with AlAs nanolayers in spacer(2019) Safonov, D. A.; Vinichenko, A. N.; Sibirmovsky, Yu. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сафонов, Данил Андреевич; Виниченко, Александр Николаевич; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. A comparison of the electron transport properties of pseudomorphic quantum well AlxGa1-xAs/In0.2Ga0.8As/GaAs with those of conventional donor layer (x = 0.15 and x = 0.25) and with AlAs nanoinserts around the delta-Si layer or AlAs: delta-Si donor layer is presented. The structures with added AlAs layers exhibit electron concentration decrease, combined with increased electron mobility. This effect is related to the suppression of remote ionized impurity electron scattering, change of band structure and decreasing efficiency of silicon atoms doping when incorporating in pure AlAs.
- ПубликацияТолько метаданныеResistance of magnetic field sensors based on molybdenum nanofilms to intense neutron fluxes(2019) Bolshakova, I.; Bulavin, M.; Kargin, N.; Kost, Y.; Kulikov, S.; Radishevskiy, M.; Shurygin, F.; Strikhanov, M.; Vasil'Evskii, I.; Vasyliev, A.; Каргин, Николай Иванович; Стриханов, Михаил Николаевич; Васильевский, Иван Сергеевич
- ПубликацияТолько метаданныеParametrization of a Microwave and the Noise Model of a Metamorphic 0.15 µm MHET InAlAs/InGaAs Transistor(2021) Gorelov, A. A.; Lokotko, V. V.; Kargin, N. I.; Vasilievsky, I. S.; Grishakov, K. S.; Ryzhuk, R. V.; Горелов, Андрей Алексеевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Гришаков, Константин Сергеевич; Рыжук, Роман Валериевич© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: AlGaAs MHEMT transistors are studied in the microwave frequency range with a gate length of 0.15 μm. It is found that the discrepancy between the experimental and theoretically calculated, within the model, S-parameters does not exceed 0.5% in the frequency range from 1 to 30 GHz. The static characteristics of the device are satisfactorily described by the indicated model in the voltage range of the runoff up to 2.5 V. For the analysis of the noise characteristics, the Fukui model is used. It is found that the influence of the parasitic drain capacitance and the values of the drain and source inductances do not significantly affect the noise characteristics of the transistor, and an increase in the parasitic capacitance and a decrease in the parasitic gate inductance can lead to a significant reduction in the high-frequency noise figure.
- ПубликацияТолько метаданныеPlasmon-exciton interaction strongly increases the efficiency of a quantum dot-based near-infrared photodetector operating in the two-photon absorption mode under normal conditions(2021) Krivenkov, V.; Samokhvalov, P.; Vasil'evskii, I. S.; Kargin, N. I.; Nabiev, I.; Самохвалов, Павел Сергеевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Набиев, Игорь РуфаиловичSemiconductor quantum dots (QDs) are known for their high two-photon absorption (TPA) capacity. This allows them to efficiently absorb infrared photons with energies lower than the bandgap energy. Moreover, TPA in QDs can be further enhanced by the interaction of excitons of the QDs with plasmons of a metal nanoparticle. We fabricated nonlinear plasmon-exciton photodetectors based on QDs and silver nanoplates (SNPs) to demonstrate the optoelectronic application of these effects. A thin layer of CdSe QDs was used as a source of charge carriers for a photoresistor-type photodetector. SNPs with near-infrared plasmon modes were introduced into the layer of QDs to increase the light absorption efficiency. Under near-infrared irradiation, the power of the dependence of the photocurrent on the excitation intensity was twice the power of the corresponding dependence under one-photon excitation with visible light. This proved that the new photodetector efficiently operated under two-photon excitation. Although the SNP light absorption was linear, energy was transferred from plasmons to excitons in the two-quantum mode, which led to a nonlinear dependence. Moreover, we found that the photocurrent from the designed photodetector containing the QD-SNP composite was an order of magnitude higher than that from a photodetector containing QDs alone. This can be explained by the plasmon-induced increase in the TPA efficiency.
- ПубликацияОткрытый доступПРОГРАММА ДЛЯ РАСЧЕТА ЭНЕРГИЙ И ВОЛНОВЫХ ФУНКЦИЙ СТРУКТУР С МНОЖЕСТВОМ КВАНТОВЫХ ЯМ В РАМКАХ 4X4 KP-ГАМИЛЬТОНИАНА ПРИ НАЛИЧИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И МЕХАНИЧЕСКИ НАПРЯЖЕННЫХ СЛОЕВ(НИЯУ МИФИ, 2023) Гришаков, К. С.; Васильевский, И. С.; Каргин, Н. И.; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Гришаков, Константин СергеевичПрограмма позволяет находить заданное пользователем количество электронных и дырочных энергетических уровней, и соответствующие им нормированные волновые функции в гетеро структурах с множеством квантовых ям, в том числе при наличии напряженных слоев. Для дырочных состояний программа решает задачу на собственные значения 4x4 kp-Гамильтониана. Для электронных состояний программа решает задачу на собственные значения уравнений Шредингера с зависящей от координаты эффективной массой. При наличии электрического поля для нахождения электронных и дырочных состояний на границах расчетной области применяются идеально согласованные слои. На входе в программу задаются параметры слоевой структуры и величина электрического поля. Программа может применяться в области наноэлектроники и радиофотоники. Тип ЭВМ: IBM PC - совместимый компьютер; ОС: Windows ХР и выше, Linux.
- ПубликацияТолько метаданныеNonlinear plasmon-exciton infrared photodetector operating in the two-photon absorption mode(2022) Samokhvalov, P.; Gulevich, D.; Krivenkov, V.; Vasil'evskii, I. S.; Kargin, N. I.; Nabiev, I.; Самохвалов, Павел Сергеевич; Гулевич, Даяна Галимовна; Васильевский, Иван Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Набиев, Игорь Руфаилович© 2022 SPIE.Semiconductor quantum dots (QDs) are known for their high capacity to nonlinear interaction with light via two-photon absorption (TPA). This allows them to absorb efficiently the infrared photons with energies lower than the bandgap energy. In addition, the TPA can be further enhanced due to interaction of QD excitons with plasmons of metal nanoparticles making it possible to design highly efficient optoelectronic devices with a nonlinear response to irradiation. To achieve this goal, we have fabricated the nonlinear photodetectors based on the QDs and silver nanoplates (SNPs) which combine both mentioned effects and demonstrate a highly efficient nonlinear photocurrent response at the excitation in the nearinfrared region of optical spectrum. In this study, we compared the photodetectors efficiency enhancement in hybrid devices based on the CdSe QDs and SNPs designed by the different ways. In one case, the SNPs were deposited on the top of 10 layers of QDs, and in the other, they were placed between these layers. We have demonstrated that both types of hybrid photodetectors operate in the two-photon regime. At the same time, we have found that the two-photon absorption efficiency was significantly higher in the sample where the SNPs were located between the QD-layers.
- ПубликацияТолько метаданныеComparison of the thermal interdiffusion phenomena in InGaAs/GaAs and InGaAs/AlGaAs strained heterostructures(2022) Vasilkova, E. I.; Klochkov, A. N.; Vinichenko, A. N.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван СергеевичThe effect of 5 min high-temperature thermal annealing on InGaAs/GaAs strained superlattices and InGaAs/ AlGaAs PHEMT structures grown by molecular beam epitaxy was studied using the Hall measurements, pho-toluminescence spectroscopy, and high-resolution X-ray diffraction. InGaAs/GaAs superlattices are shown to undergo photoluminescence peak energy blueshift after 700 degrees C annealing and distinguishable heterointerface roughening after 800 degrees C annealing. The magnitude of quantum well smoothing, caused by annealing induced III-group atom interdiffusion, was estimated experimentally using secondary ion mass spectrometry and X-ray reflectivity, and calculated from the modelled electron energy spectra in the diffused wells. InGaAs/AlGaAs PHEMTs appear to be more sensitive to annealing, demonstrating optical and structural changes of a similar nature to InGaAs/GaAs heterostructures, as well as transport properties degradation, at a wider range of annealing temperatures starting 500 degrees C.