Publication:
Electron-Quantum Transport in Pseudomorphic and Metamorphic In 0.2 Ga 0.8 As-Based Quantum Wells

Дата
2019
Авторы
Vinichenko, A. N.
Safonov, D. A.
Kargin, N. I.
Vasil'evskii, I. S.
Сафонов, Данил Андреевич
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd. Abstract: Metamorphic high-electron-mobility transistor (HEMT) structures based on deep In 0.2 Ga 0.8 As/In 0.2 Al 0.8 As quantum wells (0.7 eV for Γ electrons) with different metamorphic buffer designs are implemented and investigated for the first time. The electronic properties of metamorphic and pseudomorphic HEMT structures with the same doping are compared. It is found that, over a temperature range of 4–300 K, both the electron mobility and concentration in the HEMT structure with a linear metamorphic buffer are higher than those in the pseudomorphic HEMT structure due to an increase in the depth of the quantum well. Low-temperature magnetotransport measurements demonstrate that the quantum momentum-relaxation time decreases considerably in metamorphic HEMT structures because of enhanced small-angle scattering resulting from structural defects and inhomogeneities, while the dominant scattering mechanism in structures of both types is still due to remote ionized impurities.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Electron-Quantum Transport in Pseudomorphic and Metamorphic In 0.2 Ga 0.8 As-Based Quantum Wells / Vinichenko, A.N. [et al.] // Semiconductors. - 2019. - 53. - № 3. - P. 339-344. - 10.1134/S1063782619030205
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063782619030205
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85064933920&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000465525000011
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17866
Коллекции
Публикации