Персона:
Сибирмовский, Юрий Дмитриевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Логотип проекта
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Сибирмовский
Имя
Юрий Дмитриевич
Имя

Фильтры

2019 - 201922020 - 20232
4
4
Сброс фильтров

Настройки

Автор: Vasil'evskii, I. S. ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 4 из 4
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Modelling of Quantum-confined Stark Effect in III-V Heterostructures for Electro-optic Modulator Applications
    (2019) Sibirmovsky, Y. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич
    © 2019 IEEE.The problem of modelling the absorption coefficient and refractive index spectra of III-V heterostructures with multiple quantum wells and superlattices under applied electric field is considered. This is a crucial step in the design of efficient and compact electro-optic modulators. The goal of this work is to find a simple, fast and reliable method to qualitatively compare various heterostructure designs. Which is why two-band effective mass approximation is used here. The paper contains comparison of existing methods as well as some new results.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Donor ionization tuning in AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT quantum wells with AlAs nanolayers in spacer
    (2019) Safonov, D. A.; Vinichenko, A. N.; Sibirmovsky, Yu. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сафонов, Данил Андреевич; Виниченко, Александр Николаевич; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич
    © 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. A comparison of the electron transport properties of pseudomorphic quantum well AlxGa1-xAs/In0.2Ga0.8As/GaAs with those of conventional donor layer (x = 0.15 and x = 0.25) and with AlAs nanoinserts around the delta-Si layer or AlAs: delta-Si donor layer is presented. The structures with added AlAs layers exhibit electron concentration decrease, combined with increased electron mobility. This effect is related to the suppression of remote ionized impurity electron scattering, change of band structure and decreasing efficiency of silicon atoms doping when incorporating in pure AlAs.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Modeling the absorption and refraction spectra of multiple quantum well structures
    (2023) Sibirmovsky, Y. D.; Vasil'evskii, I. S.; Kargin, N. I.; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Каргин, Николай Иванович
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit
    (2021) Safonov, D. A.; Klochkov, A. N.; Vinichenko, A.; Sibirmovsky, Y. D.; Kargin, N. I.; Vasil'evskii, I. S.; Сафонов, Данил Андреевич; Клочков, Алексей Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Сибирмовский, Юрий Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич
    © 2021The dependence of electron transport properties of two-dimensional electron gas on sheet doping concentration in one-sided δ-doped pseudomorphic AlxGa1-xAs/In0.2Ga0.8As/GaAs quantum wells is investigated. The wide range of silicon dopant sheet concentrations of (1.6–16) · 1012 cm−2 is investigated. Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times are determined by low-temperature Shubnikov-de Haas effect measurements. The dependence of the quantum and transport relaxation times on nH is shown to have nonmonotonic character due to the competition of the Fermi momentum increase and the large angle scattering due to the variation of ionized donor concentration. The nonparabolicity coefficient in the In0.2Ga0.8As quantum well is determined to be 0.68 1/eV.