Персона:
Курельчук, Ульяна Николаевна

Загружается...
Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Курельчук
Имя
Ульяна Николаевна
Имя

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 12
  • Публикация
    Только метаданные
    Spectroscopic studies of solid Ar condensed on a gold surface
    (2022) Karazhanov, S. Z.; Kurelchuk, U. N.; Borisyuk, P. V.; Chubunova, E. V.; Kolachevsky, N. N.; Lebedinskii, Y. Y.; Myzin, D. A.; Nikolaev, A. V.; Tkalya, E. V.; Курельчук, Ульяна Николаевна; Борисюк, Петр Викторович; Чубунова, Елена Витальевна; Лебединский, Юрий Юрьевич; Мызин, Дмитрий Анатольевич; Николаев, Александр Васильевич; Ткаля, Евгений Викторович
    © 2021 Elsevier B.V.We have studied condensed solid argon films on a gold surface, measuring its reflected electron energy-loss spectra (REELS) and X-ray photoelectron spectra (XPS) at the temperatures 5 K and 20 K. We have also reproduced theoretically the REELS considering both face-centered cubic (FCC) and hexagonal close-packed (HCP) lattices of solid argon using density-functional theory (DFT), GW approximation, random-phase approximation (RPA) and the Bethe–Salpeter equation (BSE). In the calculations the local-field dielectric screening, quasiparticles, and excitonic effects have been taken into account. The excitonic peaks in the REELS appear at ∼12 eV whereas the calculated electronic bandgap amounts to 14.3–14.4 eV for both the FCC and HCP lattices. Our results show that a solid argon film is a wide-gap dielectric best suited for implanting Th and studying its low-lying nuclear transition in 229Th with the energy of 8.2 eV.
  • Публикация
    Только метаданные
    Chemical bonding between thorium and novel BN nanomaterials
    (2022) Kurelchuk, U. N.; Nikolaev, A. V.; Borisyuk, P. V.; Tkalya, E. V.; Курельчук, Ульяна Николаевна; Николаев, Александр Васильевич; Борисюк, Петр Викторович
  • Публикация
    Только метаданные
    Electronic and Charge Properties of Titanium 2 and 4 nm Nanoclusters
    (2023) Kurelchuk, U. N.; Vasilyev, O. S.; Borisyuk, P. V.; Курельчук, Ульяна Николаевна; Васильев, Олег Станиславович; Борисюк, Петр Викторович
  • Публикация
    Только метаданные
    Electron properties of 13-atom nanoparticle superlattices
    (2020) Kurelchuk, U. N.; Borisyuk, P. V.; Vasilyev, O. S.; Курельчук, Ульяна Николаевна; Борисюк, Петр Викторович; Васильев, Олег Станиславович
    © 2019 Elsevier B.V.A density functional theory (DFT) study of electronic properties and Seebeck coefficient S of d-metal (Au, Ag, Pt, Pd, Ta) 13-atom nanoparticle superlattices is presented. The geometry optimization, calculations of electronic structure and density of electron states (DOS) was performed in DFT generalized gradient approximation in Perdiew-Burke-Ernzerhoff form (GGA-PBE) with full relativistic pseudopotentials. From the band structure S values are calculated using semi-classical Boltzmann equation in τ approximation. A size-dependent appearance of features in DOS near Fermi level is shown. The influence of these features on S is discussed. Potential usage of such model materials with strong DOS features near Fermi level as a source of varied energy monochromatic photons in metal insulator semiconductor structures for resonant excitation of long-lived forbidden states, including nuclear ones is discussed.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Спектроскопическое исследование кристаллических пленок неона, выращенных на золотой подложке
    (2023) Курельчук, У. Н.; Борисюк, П. В.; Чубунова, Е. В.; Домашенко, М. С.; Каражанов, С. Ж.; Колачевский, Н. Н.; Лебединский, Ю. Ю.; Мызин, Д. А.; Николаев, А. В.; Ткаля, Е. В.; Ткаля, Евгений Викторович; Мызин, Дмитрий Анатольевич; Чубунова, Елена Витальевна; Борисюк, Петр Викторович; Лебединский, Юрий Юрьевич; Николаев, Александр Васильевич; Курельчук, Ульяна Николаевна
    Пленка кристаллического неона была конденсирована на подложке из золота и измерен спектр характеристических потерь энергии обратно рассеянных электронов (СХПЭ) при температуре 5К. Также были теоретически исследовано конденсированное ГЦК-состояние неона методами теории функционала плотности и многочастичной теории возмущений, приближения случайных фаз и уравнения Бете−Салпетера. Теоретический спектр СХПЭ был рассчитан как в приближении независимых электронов, так и с учетом многочастичных эффектов – экранирования локального поля, появления электронно-дырочных пар и связанных состояний (экситонов). Получена ширина запрещенной зоны – 21.5 эВ. Показано, что в СХПЭ неона пики потерь энергии от 17.8 до 21.5 эВ являются чисто экситонными. Кристаллическая пленка неона, являясь широкозонным диэлектриком, рассматривается как перспективный материал для имплантации Th и изучения уникального ядерного перехода в 229Th с энергией 8.2 эВ.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Электронные и зарядовые свойства нанокластеров титана размерами 2 и 4 нм
    (2024) Курельчук, У. Н.; Васильев, О. С.; Борисюк, П. В.; Борисюк, Петр Викторович; Васильев, Олег Станиславович; Курельчук, Ульяна Николаевна
    В настоящей работе полуэмпирическими расчетными методами исследованы нанокластеры титана Ti115 и Ti935 размерами 2 и 4 нм, как отдельные, так и контактирующие – получена оптимальная геометрия, энергии и орбитали, изучены структурные, электронные, зарядовые свойства. Показано, что наибольшая электронная плотность как всех валентных, так и d-состояний локализована у поверхностей нанокластеров с наибольшей кривизной. Минимумы полной и d- электронной плотности локализованы преимущественно на атомах приповерхностного слоя поверхностей с наименьшей кривизной. Энергия связи, приходящаяся на атом, растет с ростом размеров НК, для отдельных НК она чуть выше, чем для системы из двух контактирующих НК. Плотность же электронных состояний системы контактирующих НК 2 нм не зависит от типа их контакта.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Электронные и термоэлектрические свойства структур пониженной мерности на основе D- и F- металлов.
    (НИЯУ МИФИ, 2019) Курельчук, У. Н.; Курельчук, Ульяна Николаевна; Борисюк, П. В.
  • Публикация
    Только метаданные
    Charge Properties of Thorium Implanted in Silicon Oxide
    (2020) Kurelchuk, U. N.; Borisyuk, P. B.; Nikolaev, A. V.; Tkalya, E. V.; Курельчук, Ульяна Николаевна; Борисюк, Петр Викторович; Николаев, Александр Васильевич; Ткаля, Евгений Викторович
    © 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: A study of thorium atoms implanted in silicon oxide was carried out within the density functional theory method. The charge properties of Th in the ThO2:nSiO2 and Th:nSiO2 compounds, where Th acts as an interstitial and substitutional impurity in cristobalite, have been studied. Geometric optimization of structures is carried out with allowance for electron-electron interactions, self-consistent distribution of electron density is investigated, and Bader effective charges are estimated.
  • Публикация
    Только метаданные
    Spectroscopic Studies of Crystalline Neon Film Grown on a Gold Surface
    (2022) Kurelchuk, U. N.; Borisyuk, P. V.; Chubunova, E. V.; Domashenko, M. S.; Kolachevsky, N. N.; Lebedinskii, Yu. Yu.; Myzin, D. A.; Nikolaev, A. V.; Tkalya, E. V.; Курельчук, Ульяна Николаевна; Борисюк, Петр Викторович; Чубунова, Елена Витальевна; Лебединский, Юрий Юрьевич; Мызин, Дмитрий Анатольевич; Николаев, Александр Васильевич; Ткаля, Евгений Викторович
  • Публикация
    Открытый доступ
    Estimation of the charge state of Th implanted in SiO2in the different atomic environment
    (2020) Kurelchuk, U. N.; Borisyuk, P. V.; Nikolaev, A. V.; Tkalya, E. V.; Курельчук, Ульяна Николаевна; Борисюк, Петр Викторович; Николаев, Александр Васильевич; Ткаля, Евгений Викторович
    © Published under licence by IOP Publishing Ltd.In this work the investigation of the charge states of thorium implanted in SiO2 is in different atomic environments and at different concentrations is presented.. Th was considered as interstitial and substitutional impurity in model cells of 6, 48 and 96 atoms. The estimations of the Bader effective charges of Th was derived from the electronic charge density n(r) calculated in DFT full relativistic PAW pseudopotential approximation. The change in the electron density of thorium due to the environment in the cells was estimated in comparison with the free atomic state.