Publication:
Спектроскопическое исследование кристаллических пленок неона, выращенных на золотой подложке

Дата
2023
Авторы
Курельчук, У. Н.
Борисюк, П. В.
Чубунова, Е. В.
Домашенко, М. С.
Каражанов, С. Ж.
Колачевский, Н. Н.
Лебединский, Ю. Ю.
Мызин, Д. А.
Николаев, А. В.
Ткаля, Е. В.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Выпуск журнала
Ядерная физика и инжиниринг
2023-14 - 3
Аннотация
Пленка кристаллического неона была конденсирована на подложке из золота и измерен спектр характеристических потерь энергии обратно рассеянных электронов (СХПЭ) при температуре 5К. Также были теоретически исследовано конденсированное ГЦК-состояние неона методами теории функционала плотности и многочастичной теории возмущений, приближения случайных фаз и уравнения Бете−Салпетера. Теоретический спектр СХПЭ был рассчитан как в приближении независимых электронов, так и с учетом многочастичных эффектов – экранирования локального поля, появления электронно-дырочных пар и связанных состояний (экситонов). Получена ширина запрещенной зоны – 21.5 эВ. Показано, что в СХПЭ неона пики потерь энергии от 17.8 до 21.5 эВ являются чисто экситонными. Кристаллическая пленка неона, являясь широкозонным диэлектриком, рассматривается как перспективный материал для имплантации Th и изучения уникального ядерного перехода в 229Th с энергией 8.2 эВ.
Описание
Ключевые слова
Ядерный переход , Экситон , Широкозонный диэлектрик , Неон , Кристаллические пленки благородных газов , СХПЭ
Цитирование
Спектроскопическое исследование кристаллических пленок неона, выращенных на золотой подложке [Text]. / Курельчук У. Н. [et al.] // Ядерная физика и инжиниринг. - 2023. - 14, 3. - С. 224-227
Коллекции