Персона: Аникин, Андрей Александрович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Аникин
Имя
Андрей Александрович
Имя
2 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 2 из 2
- ПубликацияТолько метаданныеLatch-up in Integrated Circuits under Single and Periodic Electrical Overstress(2022) Shemonaev, A.; Anikin, A.; Epifantsev, K.; Skorobogatov, P.; Шемонаев, Александр Николаевич; Аникин, Андрей Александрович; Епифанцев, Константин Алексеевич; Скоробогатов, Петр Константинович© 2022 IEEE.This paper describes the results of sensitivity test to latch-up of several types of ICs (SRAM, EEPROM memory, ADC, microcontroller) caused by single and multiple electrical overstresses. It was shown, that electrical strike with a high-repetition rate increases the sensitivity and vulnerability of ICs to latch-up. The article describes some aspects of the test procedure, which may affect on IC's sensitivity results.
- ПубликацияТолько метаданныеEffect of a Series of Voltage Pulses on Passive Components and Transistors(2022) Anikin, A.; Epifantsev, K.; Shemonaev, A.; Skorobogatov, P.; Аникин, Андрей Александрович; Епифанцев, Константин Алексеевич; Шемонаев, Александр Николаевич; Скоробогатов, Петр Константинович© 2022 IEEE.The results of studies of capacitors and transistors under the influence of single and multiple voltage pulses are presented. It is shown that the impact of multiple electrical interference reduces the durability of the product compared to the impact of a single pulse.