Персона: Писарев, Александр Александрович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Писарев
Имя
Александр Александрович
Имя
110 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 110
- ПубликацияОткрытый доступLIBS АНАЛИЗ ПРИСУТСТВИЯ Li В W ТАЙЛАХ ТОКАМАКА Т-10(НИЯУ МИФИ, 2020) ВОВЧЕНКО, Е. Д.; ГАСПАРЯН, Ю. М.; КРАТ, С. А.; КУРНАЕВ, В. А.; ПИСАРЕВ, А. А.; СТЕПАНОВА, Т. В.; Писарев, Александр Александрович; Крат, Степан Андреевич; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Степанова, Татьяна Владимировна; Вовченко, Евгений ДмитриевичРассмотрен LIBS эксперимент по определению присутствия Li в приповерхностных слоях облицовочных W тайлов кольцевого и рельсового лимитеров после завершения экспериментальной компании на Т-10, в конце которой исследовались режимы с испарением лития. Для анализа были выбраны образцы, вырезанные из тайла рельсового лимитера и парных e- и i- тайлов кольцевого лимитера, расположенных с внутренней стороны плазменного шнура и получивших минимальные тепловые нагрузки (рис.1). Предварительно для выбранных образцов было выполнено комплексное исследование элементного состава и свойств поверхности методами ТДС, СЭМ/ЭДА, рентгеноструктурного анализа и измерения твердости [1].
- ПубликацияТолько метаданныеDeuterium to protium isotope exchange in W-D co-deposited films below 200°C(2023) Krat, S.; Prishvitsyn, A.; Fefelova, E.; Popova, M.; Sorokin, I.; Gasparyan, Y.; Pisarev, A.; Крат, Степан Андреевич; Пришвицын, Александр Сергеевич; Сорокин, Иван Александрович; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Писарев, Александр Александрович
- ПубликацияОткрытый доступЗАМЕЩЕНИЕ ИЗОТОПОВ ГЕЛИЯ В ВОЛЬФРАМЕ ПРИ ИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ(НИЯУ МИФИ, 2022) АРУТЮНЯН, З. Р.; ГАСПАРЯН, Ю. М.; ЕФИМОВ, В. С.; КРАТ, С. А.; ПИСАРЕВ, А. А.; Писарев, Александр Александрович; Ефимов, Виталий Сергеевич; Крат, Степан Андреевич; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Арутюнян, Зорий РобертовичГелий будет присутствовать в плазме термоядерных установок как продукт термоядерной реакции и взаимодействовать с обращенным к плазме материалом (ОПМ). Вольфрам будет использован в качестве материала наиболее нагруженных частей дивертора в ITER и рассматривается в качестве одного из приоритетных материалов для ОПМ будущих термоядерных реакторов благодаря высокой температуре плавления и теплопроводности и малому коэффициенту физического распыления [1].
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ ГЕЛИЯ НА СВОЙСТВА СООСАЖДЕННЫХ ВОЛЬФРАМ-ДЕЙТЕРИЕВЫХ СЛОЁВ И УДЕРЖАНИЕ ДЕЙТЕРИЯ В НИХ(НИЯУ МИФИ, 2022) ФЕФЕЛОВА, Е. А.; КРАТ, С. А.; ГАСПАРЯН, Ю. М.; ЕФИМОВ, В. С.; ЗАРИПОВА, М. М.; ИСАЕНКОВА, М. Г.; ПИСАРЕВ, А. А.; Исаенкова, Маргарита Геннадьевна; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Писарев, Александр Александрович; Ефимов, Виталий Сергеевич; Крат, Степан АндреевичНакопление изотопов водорода в материалах реактора является одной из основных проблем на пути к коммерческому термоядерному реактору. В ИТЭР в качестве топлива будет использоваться дейтерий-тритиевая смесь; накопление радиоактивного трития в материалах стенки реактора представляет проблему с точки зрения радиационной безопасности. Одним из основных механизмов накопления изотопов водорода в реакторе является соосаждение с материалами обращенных к плазме элементов [1,2]. В ИТЭР в качестве материала наиболее нагруженной области первой стенки – дивертора, выбран вольфрам. Понимание процесса соосаждения изотопов водорода с этим металлом необходимо для количественной оценки удержания трития в ОПЭ.
- ПубликацияОткрытый доступСравнение удержания дейтерия в вольфрамовых пленках различной толщины(2024) Крат, С. А.; Пришвицын, А. С.; Сорокин, И. А.; Фефелова, Е. А.; Гаспарян, Ю. М.; Писарев, А. А.; Писарев, Александр Александрович; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Пришвицын, Александр Сергеевич; Крат, Степан Андреевич; Сорокин, Иван АлександровичПроведено сравнительное исследование содержание дейтерия в со-осажденных из плазмы магнетронного разряда на молибденовые подложки вольфрам-дейтериевых слоях толщиной 50, 250 и 750 нм. Измерения проводились методом in vacuo термодесорбционной спектроскопии без контакта с атмосферой. Проведено моделирование экспериментальных данных в коде ТМАР7, получены концентрации и энергии ловушек, при которых достигается наилучшее согласие с экспериментом. Содержание дейтерия в пленках, осажденных при температуре ~100°С, составило 3–5 ат. %. Показано, что толщина пленок не оказывает существенного влияния на характеристики центров захвата удержания дейтерия, хотя вид спектров для наиболее толстых пленок несколько отличается.
- ПубликацияТолько метаданныеOHMIC Losses on Magnetron-Sputtered PVD Thin-Film TCO Electrodes of the Electrochromic Modules During Their Tinting(2022) Novikova, K. S.; Kravchenko, V. V.; Knyazhev, D. P.; Bernt, D. D.; Pisarev, A. A.; Писарев, Александр Александрович
- ПубликацияТолько метаданныеEffect of substrate biasing on deuterium retention in deuterium-tungsten co-deposited films at 380 K(2026) Krat, S.; Kolodko, D. V.; Sorokin, I.; Efimov, N.; Prishvitsyn, A.; Lomonosov, G. S.; Kharkov, M. M.; Tumarkin, A.; Kaziev, A. V.; Gasparyan, Y.; Pisarev, A.; Крат, Степан Андреевич; Колодко, Добрыня Вячеславич; Сорокин, Иван Александрович; Ефимов, Никита Евгеньевич; Пришвицын, Александр Сергеевич; Ломоносов, Глеб Сергеевич; Харьков, Максим Михайлович; Тумаркин, Александр Владимирович; Казиев, Андрей Викторович; Гаспарян, Юрий Микаэлович; Писарев, Александр Александрович
- ПубликацияОткрытый доступВЛИЯНИЕ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ НА СМАЧИВАЕМОСТЬ МОЛИБДЕНА ЛИТИЕМ(НИЯУ МИФИ, 2026) ТАРАСЮК, Г. М.; СУВОРОВ, Н. А.; СТЕПАНОВ, В. А.; ПИСАРЕВ, А. А.; Степанов, Владимир Алексеевич; Писарев, Александр Александрович; Тарасюк, Григорий МихайловичОдна из концепций диверторов и лимитеров токамака основана на использовании тонкого текущего по поверхности слоя жидкого лития, как материала, обращенного к плазме. Для обеспечения полного покрытия поверхности литием без возникновения «сухих» зон необходимо хорошее смачивание поверхности литием. Плазменная обработка, которая широко применяется в промышленности для улучшения смачиваемости материалов и изделий из них, могла бы также улучшить смачиваемость металлов и жидким литием.
- ПубликацияОткрытый доступИЗУЧЕНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЛИТИЙ-ДЕЙТЕРИЕВЫХ ПЛЕНОК С АТМОСФЕРНЫМИ ГАЗАМИ(НИЯУ МИФИ, 2015) ПОПКОВ, А. С.; КРАТ, С. А.; ГАСПАРЯН, Ю. М.; ПИСАРЕВ, А. А.; Писарев, Александр Александрович; Крат, Степан Андреевич; Гаспарян, Юрий МикаэловичПри разработке термоядерных установок одним из ключевых является вопрос выбора материалов конструкционных элементов, обращенных к плазме. Литий рассматривается в качестве одного из возможных материалов, контактирующих с плазмой токамака.
- ПубликацияОткрытый доступInfluence of True Diffusion Coefficient on Hydrogen Diffusion in Tungsten in the Field of Defects(2019) Pisarev, A.; Giniyatullin, B.; Писарев, Александр Александрович© Published under licence by IOP Publishing Ltd.Numerical calculations of thermal desorption spectra, permeation, and accumulation of hydrogen in radiation damaged tungsten have been made using two approximations for the diffusion coefficient: The commonly used approximation of Fraunfelder and that of Heinola, which he proposed to describe only the most high temperature data of Fraunfelder.