Персона:
Амбуркин, Дмитрий Михайлович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Амбуркин
Имя
Дмитрий Михайлович
Имя

Фильтры

2020 - 20232
2
2
Сброс фильтров

Настройки

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    The 4 Watt UHF VDMOS Power Amplifier for Space Applications
    (2023) Ermakov, A. V.; Sotskov, D. I.; Amburkin, D. M.; Usachev, N. A.; Boychenko, D. V.; Ермаков, Александр Викторович; Сотсков, Денис Иванович; Амбуркин, Дмитрий Михайлович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Displacement Damage Effects Mitigation Approach for Heterojunction Bipolar Transistor Frequency Synthesizers
    (2020) Sotskov, D. I.; Elesin, V. V.; Kuznetsov, A. G.; Zhidkov, N. M.; Metelkin, I. O.; Amburkin, K. M.; Amburkin, D. M.; Usachev, N. A.; Boychenko, D. V.; Elesina, V. V.; Сотсков, Денис Иванович; Елесин, Вадим Владимирович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Жидков, Никита Михайлович; Амбуркин, Константин Михайлович; Амбуркин, Дмитрий Михайлович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
    © 1963-2012 IEEE.This work focuses on the design issues of radio frequency (RF) bipolar integrated circuits (ICs) as a part of frequency synthesizers for extreme environmental applications. It is shown that silicon-germanium (SiGe) and gallium arsenide (GaAs) heterojunction bipolar transistors (HBTs) as well as bipolar RF ICs (including frequency dividers, voltage-controlled oscillators, and wide-band amplifiers) are highly sensitive to ambient temperature and radiation-induced displacement damage. This article also presents a design approach based on specialized HBT macromodels and hardening techniques.