Персона:
Котов, Владислав Николаевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Котов
Имя
Владислав Николаевич
Имя

Фильтры

20213
3
3
Сброс фильтров

Настройки

Автор: Kotov, V. N. ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 3 из 3
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Total Ionizing Dose Sensitivity of 180 nm Silicon-on-Insulator Microwave Low-Noise Amplifier
    (2021) Gorbunov, M. S.; Zhidkov, N. M.; Sotskov, D. I.; Sotskov,D.I.; Kuznetsov, A. G.; Kotov, V. N.; Elesin, V. V.; Жидков, Никита Михайлович; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Котов, Владислав Николаевич; Елесин, Вадим Владимирович
    © 2021 IEEE.We study the total ionizing dose (TID) effects sensitivity of 180 nm Silicon-on-Insulator (SOI) microwave low-noise amplifier (LNA) parameters. We use the previously developed Verilog-A based model to explain the results obtained.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    SiGe BiCMOS Voltage-Controlled Oscillator and Mixer IP-blocks for the Next-Generation Communication Transceivers
    (2021) Selishchev, I. A.; Sotskov, D.; Kuznetsov, A. G.; Usachev, N. A.; Elesin, V. V.; Kotov, V. N.; Balbekov, A. O.; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Усачев, Николай Александрович; Елесин, Вадим Владимирович; Котов, Владислав Николаевич
    © 2021 IEEE.Design and testing results of I/Q mixer and voltage-controlled oscillator IP-blocks for application in 5G communications are presented. IP-blocks were implemented in a commercial 0.42/0.25 µm SiGe BiCMOS process. The test results demonstrate that designed mixer has a conversion gain of more than 5.5 dB in the operating RF frequency range from 25.5 GHz to 26.5 GHz and IF frequency range from 1 GHz to 2 GHz, power consumption less than 235 mW. The designed voltage-controlled oscillator has an operating frequency range from 20.8 GHz to 24.6 GHz in the control voltage range from 0 V to 4 V, the output power is not less than 6 dBm, power consumption is less than 116 mW.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Characterization of the Effects of Neutron-Induced Displacement Damage on the SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
    (2021) Sotskov, D. I.; Kuznetsov, A. G.; Elesin, V. V.; Selishchev, I. A.; Kotov, V. N.; Nikiforov, A. Y.; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Елесин, Вадим Владимирович; Котов, Владислав Николаевич; Никифоров, Александр Юрьевич
    This paper explores the effects of neutron-induced displacement damage on static and high frequency parameters of three types of SiGe: npn heterostructure bipolar transistors from the SGB25V BiCMOS technology. © 2021 IEEE.