Journal Issue: Квантовая электроника
Загружается...
Volume
2025-55
Number
1
Issue Date
Journal Title
Journal ISSN
0368-7147
Том журнала
Том журнала
Квантовая электроника
(2025-55)
Статьи
Публикация
Открытый доступ
Улучшение параметров волнового фронта лазерного излучения в экспериментах на многоканальной лазерной установке нового поколения
(2025) Бельков, С. А.; Васюкевич, В. О.; Качалин, Г. Н.; Липатов, А. О.; Маначинский, А.Н.; Шагалкин, Ю. В.; Яхлов, А. В.
Приведено описание твердотельной мощной многоканальной лазерной установки нового поколения. Представлены характеристики элементов адаптивной системы в составе восьмиканального модуля лазерной установки. Описан, исследован и апробирован метод коррекции волнового фронта на выходе усилительного тракта модуля установки c использованием полиномов Цернике. Экспериментально получены результаты коррекции «тепловых» аберраций в усилительном тракте, вызванных нагревом активных элементов, – амплитуда волнового фронта PV = 0.71 мкм и егосреднеквадратичное отклонение от плоского RMS = 0.11 мкм. Приведены результаты апробации метода коррекциидля остальных каналов модуля.
Публикация
Открытый доступ
Солитонный режим генерации второй гармоники в присутствии квазирезонансных примесей
(2025) Сазонов, С. В.
Исследован солитоноподобный режим генерации второй гармоники в кристалле, содержащем примесные атомы сквантовым переходом, который является квазирезонансным по отношению к лазерному импульсу на основной частоте. Учтены рассогласования фазовых и групповых скоростей. Показано, что квазирезонансные примеси, с одной стороны, приводят к понижению эффективности генерации. С другой стороны, данные примеси способны создать условия для реализации двухчастотного солитонного режима, который невозможен в их отсутствие.
Публикация
Открытый доступ
Моделирование высокоэнергетического наносекундного ВКР-лазера на кристалле BaWO4
(2025) Пеганов, Е. А.; Сметанин, С. Н.; Карпов, Н. И.; Самойлов, В. И.; Харитонова, П. Д.; Бойко, А. Н.; Зуйков, И. А.; Ивлева, Л. И.
Исследуется работоспособность широкоапертурного кристалла вольфрамата бария (BaWO4) как активной средынаносекундного лазера на вынужденном комбинационном рассеянии с рекордно высокой энергией импульсов выходногоизлучения уровня 1 Дж. Проведенные эксперименты показали высокую стойкость кристалла BaWO4 к лазерным импульсам с порогом лазерного разрушения 10 Дж/см2. Математическое моделирование ВКР лазера при накачке лазеромна неодимовом стекле (1053 нм, 6 Дж) показало эффективное преобразование энергии накачки в стоксовы компоненты с энергиями 1.8 (1167 нм), 1.7 (1214 нм) и 0.8 Дж (1265 нм) в оптическом резонаторе, выходным зеркалом которого является выходной торец ВКР-кристалла.
Публикация
Открытый доступ
Моделирование траекторий косых лучей в многомодовом тейперном оптическом волокне
(2025) Маковецкий, А. А.; Попов, С. М.; Ряховский, Д. В.
В рамках модели геометрической оптики разработан алгоритм численного расчета траектории косого луча в существенно многомодовом тейперном оптическом волокне (ОВ) с прямолинейной образующей. С помощью данногоалгоритма были смоделированы 3D траектории косых лучей в сужающемся тейперном ОВ с большим и меньшим диаметрами сердцевин – D/d = 400/200 мкм/мкм, длиной lt = 10 см, с номинальной числовой апертурой NA = 0.42. Изученыапертурные свойства такого ОВ, режимы распространения луча по тейперу; выявлены «резонансные» виды траекторий. Проведены эксперименты по возбуждению косых лучей в тейпере с диаметрами сердцевин D/d =2000/400 мкм/мкм, lt = 30 см, с номинальной числовой апертурой.
Публикация
Открытый доступ
Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия
(2025) Журавлев, К. С.; Царев, А. В.; Гуляев, Д. В.; Колосовский, Е. А.; Арыков, В. С.; Юнусов, И. В.; Ишуткин, С. В.; Шейнбергер, А. А.
Экспериментально и теоретически исследовались механизмы оптических потерь в волноводной квантово-размернойструктуре для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. Показано, что наличие верхнего слоя изInGaAs с высоким показателем преломления и высокими оптическими потерями может приводить к аномально высокому затуханию фундаментальной ТЕ0-моды; оно наблюдается в окрестности вырождения дисперсионных кривыхдвух первых мод ТЕ поляризации, которое проявляется при толщинах верхнего слоя InGaAs порядка 0.31 мкм. Данные численного моделирования находятся в хорошем соответствии с результатами экспериментального измерения оптических потерь в таких структурах.