Publication: Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия
Дата
2025
Авторы
Журавлев, К. С.
Царев, А. В.
Гуляев, Д. В.
Колосовский, Е. А.
Арыков, В. С.
Юнусов, И. В.
Ишуткин, С. В.
Шейнбергер, А. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Экспериментально и теоретически исследовались механизмы оптических потерь в волноводной квантово-размернойструктуре для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия. Показано, что наличие верхнего слоя изInGaAs с высоким показателем преломления и высокими оптическими потерями может приводить к аномально высокому затуханию фундаментальной ТЕ0-моды; оно наблюдается в окрестности вырождения дисперсионных кривыхдвух первых мод ТЕ поляризации, которое проявляется при толщинах верхнего слоя InGaAs порядка 0.31 мкм. Данные численного моделирования находятся в хорошем соответствии с результатами экспериментального измерения оптических потерь в таких структурах.
Описание
Ключевые слова
Оптические потери , Множественная квантовая яма , Эффект Штарка , Фосфид индия , Электрооптический модулятор
Цитирование
Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия / Журавлев К. С. [и др.] // Квантовая электроника.- 2025.- Т.55.- N1.- С.30-35