Journal Issue: Квантовая электроника
Загружается...
Volume
2025-55
Number
2
Issue Date
Journal Title
Квантовая электроника
Journal ISSN
0368-7147
Том журнала
Том журнала
Квантовая электроника
Квантовая электроника (2025-55)
Статьи
Публикация
Открытый доступ
Мощный лазер на кристалле CdSSe с длиной волны излучения 623.5 нм при продольной двухфотонной накачке
(2025) Козловский, В. И.; Скасырский, Я. К.; Фролов, М. П.
Исследован лазер на монокристалле CdSSe с длиной волны 623.5 нм при продольной двухфотонной накачке излучением Nd:YAP-лазера с модулированной добротностью. При охлаждении монокристалла до температуры жидкого азота достигнута пиковая мощность до 80 кВт при длительности импульса 7 нс и эффективности ~3%. Полный угол расходимости лазера зависел от диаметра пятна накачки и составил примерно 30° при диаметре 1 мм. Мощность ограничена разрушением поверхности кристалла. Обсуждаются пути улучшения характеристик лазера.
Публикация
Открытый доступ
Влияние электрон-ионных столкновений на спектр терагерцевого излучения из плазмы в магнитном поле при воздействии фемтосекундного лазерного импульса
(2025) Овчинников, К. Н.
Изучено влияние электрон-ионных столкновений на генерацию терагерцевого излучения из магнитоактивной плазмы под действием фемтосекундного лазерного импульса, когда частота лазерного излучения превышает плазменную частоту. Найдены области частот излучения, для которых учет столкновений необходим. Выявлено уменьшение полной энергии низкочастотного излучения из-за учета столкновений до 30% в наиболее интересном для генерации случае, когда длительность лазерного импульса имеет величину порядка обратной плазменной частоты.
Публикация
Открытый доступ
Обработка изображения по двум каналам, формируемым разными процессами акустооптической брэгговской дифракции
(2025) Котов, В. М.
Для обработки двумерных изображений по двум каналам предложено использовать два режима акустооптической (АО) брэгговской дифракции, происходящие в одной АО ячейке на одной частоте звука, но при разных углах падения света. Показано, что такие режимы наиболее просто реализовать в области экстремумов частотно-угловой функции f(Q), где f и Q – частота звука и угол падения света. Для формирования каналов предложено использовать режим брэгговского поляризационного расщепления (БПР), параметры которого лежат в области минимума функции f(Q). Экспериментально получено формирование контуров изображения в +1-м и –1-м дифракционных порядках с использованием АО ячейки из ТеО2, работающей в режиме БПР. Длина волны оптического излучения равна 0.63 мкм, частота звука – 11.2 МГц
Публикация
Открытый доступ
Усиление локальных электрических полей оптического излучения в ансамблях кремниевых нанонитей с наночастицами золота
(2025) Корнилова, А. В.; Якунин, В. Г.; Канавин, А. П.; Тимошенко, В. Ю.
Проведены расчеты пространственного распределения электрического поля световой волны в ансамблях кремниевых нанонитей (SiNW), покрытых наночастицами золота (AuNP). Установлено, что по сравнению со случаями нанонитей без наночастиц электрическое поле световой волны в композитной структуре SiNW/AuNP значительно возрастает, что объясняется совместным вкладом усиления локальных электрических полей при рассеянии Ми на кремниевых нанонитях и полей локализованных поверхностных плазмонов в наночастицах золота. Установлено, что усиление локального поля немонотонно и сильно зависит от длины волны возбуждающего света в диапазоне 600 – 800 нм, что связано с проявлением спектральных максимумов упругого рассеяния возбуждающего света в массиве кремниевых нанонитей, а также зависит от типа распределения наночастиц по размерам (монодисперсное или логнормальное) и является максимальным при факторе заполнения нанонитями пространства около 50 %. Полученные результаты позволяют объяснить экспериментальные данные по гигантскому комбинационному рассеянию света в структурах SiNW/AuNP при возбуждении светом с длиной волны 633 нм, а также указывают на дальнейшие возможности улучшения параметров структур типа полупроводник – металл для использования в оптических методах молекулярной сенсорики.
Публикация
Открытый доступ
Формирование ориентированных наностенок MoS2 селективной лазерной абляцией и их свойства
(2025) Логинов, А. Б.; Исмагилов, Р. Р.; Арутюнян, Н. Р.; Сапков, И. В.; Образцова, Е. Д.; Чулков, А. Н.
Пленки, состоящие из массивов кристаллитов (наностенок) MoS2, ориентированных перпендикулярно подложке, привлекают внимание исследователей как перспективный материал для создания устройств фотоники, оптоэлектроники и сенсорики. Дополнительное упорядочение структуры таких слоев посредством ориентации наностенок вдоль определенного направления в плоскости подложки позволяет создавать материалы с уникальными характеристиками. Для их формирования нами используется метод селективной лазерной абляции пленок MoS2, сформированных осаждением из газовой фазы и состоящих из наностенок на поверхности кремниевых подложек. Определены параметры лазерного импульса, приводящие к возникновению максимальной степени упорядочения наностенок в пленке. Исследованы фотолюминесценция (ФЛ) и комбинационное рассеяние света (КРС), в том числе определена степень поляризации ФЛ и КРС-сигнала в зависимости от угла между выделенным направлением в плоскости пленки и поляризацией возбуждающего излучения. Выявлено, что определяющий вклад в оптические свойства таких пленок дают именно наностенки, а не подстилающая пленка. Обсуждаются возможные применения материалов, полученных с использованием метода селективной абляции, в фотонике.