Publication: Формирование ориентированных наностенок MoS2 селективной лазерной абляцией и их свойства
Дата
2025
Авторы
Логинов, А. Б.
Исмагилов, Р. Р.
Арутюнян, Н. Р.
Сапков, И. В.
Образцова, Е. Д.
Чулков, А. Н.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Пленки, состоящие из массивов кристаллитов (наностенок) MoS2, ориентированных перпендикулярно подложке, привлекают внимание исследователей как перспективный материал для создания устройств фотоники, оптоэлектроники и сенсорики. Дополнительное упорядочение структуры таких слоев посредством ориентации наностенок вдоль определенного направления в плоскости подложки позволяет создавать материалы с уникальными характеристиками. Для их формирования нами используется метод селективной лазерной абляции пленок MoS2, сформированных осаждением из газовой фазы и состоящих из наностенок на поверхности кремниевых подложек. Определены параметры лазерного импульса, приводящие к возникновению максимальной степени упорядочения наностенок в пленке. Исследованы фотолюминесценция (ФЛ) и комбинационное рассеяние света (КРС), в том числе определена степень поляризации ФЛ и КРС-сигнала в зависимости от угла между выделенным направлением в плоскости пленки и поляризацией возбуждающего излучения. Выявлено, что определяющий вклад в оптические свойства таких пленок дают именно наностенки, а не подстилающая пленка. Обсуждаются возможные применения материалов, полученных с использованием метода селективной абляции, в фотонике.
Описание
Ключевые слова
Анизотропные пленки , Лазерная абляция , Дисульфид молибдена , Двумерные материалы
Цитирование
Формирование ориентированных наностенок MoS2 селективной лазерной абляцией и их свойства / Логинов А. б. [и др.] // Квантовая электроника,- 2025.-55.-2.- С.94-101