(НИЯУ МИФИ, 2012) Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Васильев, А. Л.; Субботин, И. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
Одним из преимуществ использования гетеросистем InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP является возможность получения более высокой дрейфовой скорости Vдр насыщения электронов в квантовой яме (КЯ) InGaAs по сравнению с другими арсенидными гетеросистемами. В сильных электростатических полях Е~105 В/см, энергия электронов становится сравнимой с энергией полярных оптических фононов, что приводит к дополнительной фононной эмиссии и возрастанию темпа рассеяния “горячих” электронов.