(НИЯУ МИФИ, 2012) Блинов, П. И.; Резкова, Е. М.; Ванюхин, Е. М.
Прямой метод литографии заключается в осаждении металлической пленки, покрытии ее резистивным слоем, проведении процесса литографии и удалении немаскированных участков металлической пленки. Однако такой метод не подходит для создания приборов на основе арсенида и нитрида галлия. Использование процессов плазмохимического и жидкостного травления (с использованием щелочных и кислотных травителей) для формирования тонкопленочных элементов приводит к травлению структуры кристалла, что является неприемлемым при толщине верхних функциональных слоев в несколько десятков нанометров.