Н.Г.Басов и ранние работы по полупроводниковым лазерам в ФИАНе

Простая страница элемента
dc.contributor.authorЕлисеев, П. Г.
dc.date.accessioned2024-02-29T14:20:30Z
dc.date.available2024-02-29T14:20:30Z
dc.date.issued2012
dc.descriptionПредставлен обзор работ, посвященных созданию и исследованию полупроводниковых лазеров в период 1957 – 1977 гг. в ФИАНе. Многие работы в этом направлении были инициированы Н.Г.Басовым, начиная с «долазерных» времен, когда Н.Г.Басов и его сотрудники сформулировали принципиальные условия создания лазеров на межзонных переходах в полупроводниках. Главными направлениями дальнейших работ были диодные лазеры на основе различных материалов и структур, их мощностные характеристики, быстродействие и надежность.
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10043
dc.publisherКвантовая электроника
dc.sourceКвантовая электроника, 42, № 12 (2012)
dc.titleН.Г.Басов и ранние работы по полупроводниковым лазерам в ФИАНе
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
Н.Г.Басов и ранние работы по полупроводниковым лазерам в ФИАНе.pdf
Size:
197.82 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции
Басов Николай Геннадьевич