Н.Г.Басов и ранние работы по полупроводниковым лазерам в ФИАНе
Дата
2012
Авторы
Елисеев, П. Г.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Квантовая электроника
Аннотация
Описание
Представлен обзор работ, посвященных созданию и исследованию полупроводниковых лазеров в период 1957 – 1977 гг. в ФИАНе. Многие работы в этом направлении были инициированы Н.Г.Басовым, начиная с «долазерных» времен, когда Н.Г.Басов и его сотрудники сформулировали принципиальные условия создания лазеров на межзонных переходах в полупроводниках. Главными направлениями дальнейших работ были диодные лазеры на основе различных материалов и структур, их мощностные характеристики, быстродействие и надежность.