Publication: ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ SiC
Дата
2015
Авторы
Васильев, А. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Аннотация. Васильев А.А. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ. Дипломный проект. НИЯУ МИФИ, 2015, 61 страницы, 34 рисунка, 3 таблицы, 45 источников литературы. Библиография – 45 наименований, В данной работе было проведено исследование электрофизических свойств полевого транзистора на основе карбида кремния с ионно-легированным каналом до и после облучения потоком нейтронов. Теоретический расчет ВАХов с разными коэффициентами активации внедренной примеси, а так же определение профиля внедренных ионов азота с энергиями внедрения 50 и 80 кэВ. Основные результаты работы: Были проведены исследования электрофизических свойств экспериментальных образцов полевых транзисторов на основе SiC, канал которых сформирован методом ионной имплантации, до и после облучения нейтронами дозой D = 1013 см-2. После облучения величина тока насыщения экспериментальных образцов увеличилась более чем в 4 раза, напряжение отсечки уменьшилось от 13 до 10 В, величина тока утечки практически не изменилась Iут ≈ 0,14 мА, крутизна ВАХ возросла почти в 2 раза так же как и сопротивление в открытом состоянии. Полученные результаты свидетельствуют об улучшении рабочих характеристик СВЧ транзистора на карбиде кремния после облучения, что соответствует результатам исследований, проводимых в области анализа радиационной стойкости приборов на карбиде кремния. In this work, a study was conducted electrical properties of the field effect transistor based on silicon carbide with ion-doped channel before and after irradiation by neutrons. Theoretical calculation volt ampere characteristic with different coefficients activation of the implanted impurities, as well as the definition of the profile of the nitrogen implanted ions with energies of introduction 50 and 80 keV. The main results are: Studies have been conducted electrical properties of experimental models of super high frequency based on SiC, a channel which is formed by ion implantation, before and after neutron irradiation dose D = 1013 cm-2. After irradiation, the saturation current experimental samples increased by more than 4 times, the cutoff voltage was reduced from 13 to 10 V, leakage current virtually unchanged I≈0,14mA super high frequency steepness increased almost two times as well as the on-resistance state. The results indicate an improvement in the performance of the microwave transistor on silicon carbide, which corresponds to the results of research conducted in the analysis of the radiation resistance of devices on silicon carbide.
Описание
Уровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 140800; Группа: М04-67
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Васильев, А. А. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ SiC : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 140800 / А. А. Васильев ; рук. работы Каргин Николай Иванович, 2015