Publication:
The Amplitude Defect of SiC Detectors during the Recording of Accelerated Xe Ions

Дата
2019
Авторы
Hrubcin, L.
Zat'ko, B.
Bohacek, P.
Rozov, S. V.
Gurov, Y. B.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.The properties of detectors based on epitaxial layers of silicon carbide (SiC) are presented. It is shown that the developed detectors have good spectrometric characteristics when detecting a particles with energies of up to 8 MeV. The pulse height defect was measured in SiC detectors under irradiation by accelerated xenon ions with different energies. It is shown that this parameter in the spectroscopic analysis of Xe ions is ∼45% of the true energy of the particles in question.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
The Amplitude Defect of SiC Detectors during the Recording of Accelerated Xe Ions / Hrubcin, L. [et al.] // Physics of Atomic Nuclei. - 2019. - 82. - № 12. - P. 1682-1685. - 10.1134/S1063778819120111
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063778819120111
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85082518521&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000521548500018
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/19509
Коллекции
Публикации