Publication:
Modelling radiation damage to pixel sensors in the ATLAS detector

Дата
2019
Авторы
Aaboud, M.
Aad, G.
Abbott, B.
Abbott, D. C.
Belotskiy, K.
Belyaev, N. L.
Bulekov, O.
Kantserov, V. A.
Kurova, A.
Ponomarenko, D.
Показать ещё 10
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Логотип проекта
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт общей профессиональной подготовки (ИОПП)
Миссией Института является: фундаментальная базовая подготовка студентов, необходимая для получения качественного образования на уровне требований международных стандартов; удовлетворение потребностей обучающихся в интеллектуальном, культурном, нравственном развитии и приобретении ими профессиональных знаний; формирование у студентов мотивации и умения учиться; профессиональная ориентация школьников и студентов в избранной области знаний, формирование способностей и навыков профессионального самоопределения и профессионального саморазвития. Основными целями и задачами Института являются: обеспечение высококачественной (фундаментальной) базовой подготовки студентов бакалавриата и специалитета; поддержка и развитие у студентов стремления к осознанному продолжению обучения в институтах (САЕ и др.) и на факультетах Университета; обеспечение преемственности образовательных программ общего среднего и высшего образования; обеспечение высокого качества довузовской подготовки учащихся Предуниверситария и школ-партнеров НИЯУ МИФИ за счет интеграции основного и дополнительного образования; учебно-методическое руководство общеобразовательными кафедрами Института, осуществляющими подготовку бакалавров и специалистов по социо-гуманитарным, общепрофессиональным и естественнонаучным дисциплинам, обеспечение единства требований к базовой подготовке студентов в рамках крупных научно-образовательных направлений (областей знаний).
Выпуск журнала
Аннотация
Silicon pixel detectors are at the core of the current and planned upgrade of the ATLAS experiment at the LHC. Given their close proximity to the interaction point, these detectors will be exposed to an unprecedented amount of radiation over their lifetime. The current pixel detector will receive damage from non-ionizing radiation in excess of 10(15) 1 MeV n(eq)/cm(2), while the pixel detector designed for the high-luminosity LHC must cope with an order of magnitude larger fluence. This paper presents a digitization model incorporating effects of radiation damage to the pixel sensors. The model is described in detail and predictions for the charge collection efficiency and Lorentz angle are compared with collision data collected between 2015 and 2017 (<= 10(15) 1 MeV n(eq)/cm(2)).
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Modelling radiation damage to pixel sensors in the ATLAS detector / Aaboud, M [et al.] // Journal of Instrumentation. - 2019. - 14. - 10.1088/1748-0221/14/06/P06012
URI
https://www.doi.org/10.1088/1748-0221/14/06/P06012
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85070359632&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472134700001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18269
Коллекции
Публикации