Publication:
Перестраиваемый параметрический генератор света на основе кристаллов MgO:PPLN и HgGa2S4 с накачкой Nd:YAG-лазером с повышенными энергетическими характеристиками

Дата
2023
Авторы
Ерушин, Е. Ю.
Яковин, М. Д.
Латкин, Н. И.
Подзывалов, С. Н.
Костюкова, Н. Ю.
Бойко, А. А.
Journal Title
Квантовая электроника
Journal ISSN
Volume Title
Квантовая электроника
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Выпуск журнала
Выпуск журнала
Квантовая электроника
2023 - 53 - 9
Аннотация
Создан комбинированный параметрический генератор света с кристаллами MgO:PPLN с веерной структурой доменов и HgGa2S4, обеспечивающий плавную перестройку длины волны в спектральном диапазоне 2.5 – 10.8 мкм. В качестве источника накачки применен Nd:YAG-лазер с поперечной накачкой с энергией импульсов ∼4 мДж и с пространственным распределением пучка, описываемым функцией Гаусса второй степени по оси x и функцией Гаусса четвертой степени по оси y. Достигнута максимальная энергия излучения параметрического генератора света на длине волны 3.3 мкм на уровне 360 мкДж, 130 мкДж на длине волны 4.73 мкм и 110 мкДж на длине волны 7.40 мкм. Созданный источник излучения применен для регистрации спектров поглощения газовых смесей метана, пропана и двуокиси азота.
Описание
Ключевые слова
лазерная оптико-акустическая спектроскопия , импульсный лазер накачки , нелинейный кристалл , параметрический генератор света
Цитирование
Ерушин Е.Ю., Яковин М.Д., Латкин Н.И., Подзывалов С.Н., Костюкова Н.Ю., Бойко А.А., “ Перестраиваемый параметрический генератор света на основе кристаллов MgO:PPLN и HgGa2S4 с накачкой Nd:YAG-лазером с повышенными энергетическими характеристиками”, Квантовая электроника, 53 (9), 712–719 (2023).
Коллекции