Publication:
Effect of exposing Se pre-implanted polycrystalline SiC to maximum electronic energy loss of 33.7 keV/nm and annealing

Файлы
1-s2-0-S2468023025006315-main.pdf(11.1 MB)
Дата
2025
Авторы
Mabelane, T. S.
Abdalla, Z.A.Y.
Skuratov, V. A.
Ntshangase, S.S.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Effect of exposing Se pre-implanted polycrystalline SiC to maximum electronic energy loss of 33.7 keV/nm and annealing / Mabelane, T. S. [et al.] // Surfaces and Interfaces. - 2025. - 64. - 10.1016/j.surfin.2025.106376
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.surfin.2025.106376
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-105001837215&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/37146
Коллекции
Публикации