Publication:
МЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs

Простая страница элемента
dc.contributor.authorВасильевский, И. С.
dc.contributor.authorВиниченко, А. Н.
dc.contributor.authorГалиев, Г. Б.
dc.contributor.authorГрехов, М. М.
dc.contributor.authorЩербачев, К. Д.
dc.contributor.authorСарайкин, В. Д.
dc.contributor.authorЛаврухин, Д. В.
dc.contributor.authorКаргин, Н. И.
dc.contributor.authorСтриханов, М. Н.
dc.contributor.authorВасильевский, Иван Сергеевич
dc.contributor.authorСтриханов, Михаил Николаевич
dc.contributor.authorВиниченко, Александр Николаевич
dc.contributor.authorКаргин, Николай Иванович
dc.contributor.authorЩербачев, Олег Вячеславович
dc.date.accessioned2024-04-26T07:57:53Z
dc.date.available2024-04-26T07:57:53Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractРНЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs гетероструктуры являются одним из самых широко используемых базовых материалов в СВЧ электронике для создания транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС). Данные структуры содержат большое число слоев, как основных, так и вспомогательных, из твердых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Для получения требуемой зонной структуры и характеристик образцов необходимо жестко контролировать состав и толщину данных слоев. Цель работы состояла в реализации технологии РНЕМТ гетероструктур с использованием методов нанометрологии, обеспечивающими точность и воспроизводимость технологических параметров не хуже 95%. Для роста на установке МЛЭ Riber Compact 21T использовались импортные ОСЧ металлы производства Azelis Electronics. Предельный вакуум в камере роста при замороженных криопанелях и с перекрытым потоком As4 составлял до 1-2х10-11 Торр. Одним из важных факторов получения стабильной и воспроизводимой скорости роста, состава и толщины слоев РНЕМТ гетероструктур являлось получение долговременной стабильности потоков и учет быстрых переходных процессов при открытии заслонок.
dc.identifier.citationМЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 61-62.
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10200
dc.publisherНИЯУ МИФИ
dc.titleМЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs
dc.typeтезисы
dspace.entity.typePublication
relation.isAuthorOfPublication8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9
relation.isAuthorOfPublication85af5626-2b88-4006-9deb-f9293b0bdc4c
relation.isAuthorOfPublication635fa0fa-6e40-44e3-ba36-c309ec64c497
relation.isAuthorOfPublicationb63cacca-2813-4dee-964b-26cdc4e09e74
relation.isAuthorOfPublication484b2e5a-6d2a-4df4-8fce-b41a18435350
relation.isAuthorOfPublication71228128-3e3c-49a2-a489-10687428779d
relation.isAuthorOfPublication1a5d7bf9-ea82-44cb-af1e-7c1aed590ac6
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
2012tes_61-62.pdf
Size:
220.39 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции
2012 г._2-я ежегодная Международная научно-практическая конференция «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»