Publication:
Свойства и характеристики HEMT на GaN

Простая страница элемента
dc.contributor.advisorКаргин Николай Иванович
dc.contributor.authorКулямина, Д. А.
dc.date.accessioned2025-02-13T10:03:38Z
dc.date.available2025-02-13T10:03:38Z
dc.date.issued2015
dc.descriptionУровень образования: специалитет; Код направления/специальности: 010501; Группа: Т10-67Б
dc.description.abstractВ ходе данной дипломной работы было исследовано влияние расстояния затвор-сток на вольт-амперные характеристики силовых GaN транзисторов и расчёт частоты переключения транзисторов. На основе полученных данных были проведены: •Сформированы 4 типа силовых HEMT на основе исследованных гетероструктур, с различным расстоянием затвор-сток и проведены исследования их вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. •Установлено, что при увеличении расстояния затвор-сток от 5 до 20 мкм крутизна ВАХ снижается на ~ 25%. •Рассчитана частота переключения транзистора, для различных расстояний затвор-сток. •напряжение пробоя транзисторных структур составило 160 В. •Обоснован выбор гетероструктуры с тонким спейсером AlN для создания силового транзистора. •Предложен TCAD-ориентированный метод определения напряжения пробоя в GaN HEMT по поле-вольтовой характеристике. Отчет по дипломной работе изложен на 69 страницах, содержит 3 таблицы и 29 рисунков, список использованных источников состоит из 28 наименований.
dc.identifier.citationКулямина, Д. А. Свойства и характеристики HEMT на GaN : Выпускная квалификационная работа, специалитет, 010501 / Д. А. Кулямина ; рук. работы Каргин Николай Иванович, 2015
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/36474
dc.languageruru
dc.subjectВКР
dc.subjectВыпускная квалификационная работа
dc.titleСвойства и характеристики HEMT на GaN
dc.typeВКР
dspace.entity.typePublication
Файлы
Коллекции
Выпускные квалификационные работы