Publication: Свойства и характеристики HEMT на GaN
Дата
2015
Авторы
Кулямина, Д. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
В ходе данной дипломной работы было исследовано влияние расстояния затвор-сток на вольт-амперные характеристики силовых GaN транзисторов и расчёт частоты переключения транзисторов. На основе полученных данных были проведены: •Сформированы 4 типа силовых HEMT на основе исследованных гетероструктур, с различным расстоянием затвор-сток и проведены исследования их вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. •Установлено, что при увеличении расстояния затвор-сток от 5 до 20 мкм крутизна ВАХ снижается на ~ 25%. •Рассчитана частота переключения транзистора, для различных расстояний затвор-сток. •напряжение пробоя транзисторных структур составило 160 В. •Обоснован выбор гетероструктуры с тонким спейсером AlN для создания силового транзистора. •Предложен TCAD-ориентированный метод определения напряжения пробоя в GaN HEMT по поле-вольтовой характеристике. Отчет по дипломной работе изложен на 69 страницах, содержит 3 таблицы и 29 рисунков, список использованных источников состоит из 28 наименований.
Описание
Уровень образования: специалитет; Код направления/специальности: 010501; Группа: Т10-67Б
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Кулямина, Д. А. Свойства и характеристики HEMT на GaN : Выпускная квалификационная работа, специалитет, 010501 / Д. А. Кулямина ; рук. работы Каргин Николай Иванович, 2015