Publication:
Cd diffusion in CdS/ZnSe MQW heterostructures grown by MOVPE for semiconductor disk lasers

Дата
2021
Авторы
Martovitsky, V. P.
Skasyrsky, Y. K.
Sviridov, D. E.
Butaev, M. R.
Kozlovskiy, V. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 Elsevier B.V.CdS/ZnSe multi quantum well (MQW) heterostructures with type II band offsets for blue-green semiconductor disk lasers were grown by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) at T = 440 °C. The blurring of heterostructure interfaces during growth is investigated. There has been observed a blueshift of the emission line of heterostructures pumped from the side released from the GaAs substrate, in comparison with the emission line under pumping from the growth surface that indicates the change in the design of QWs during growth. Simulations of experimental X-ray diffraction curves also showed that the average composition of QW changes on CdZnS/ZnCdSe. It is shown that due to the strong mutual diffusion of Cd and Zn through the interfaces, it is possible to form the two ZnSSe/ZnCdSe/ZnCdS QWs with the I-type band offsets. Nevertheless, using light-assisted spreading resistance microscopy measurements on the cleaved cross-sections of the structures, carrier separation in QWs is observed, indicating the formation of a type II band offsets in the most of our heterostructures. The grown structures show intense luminescence, the radiation spectrum of which shifts to the short-wave side with the increase of the pump level.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Cd diffusion in CdS/ZnSe MQW heterostructures grown by MOVPE for semiconductor disk lasers / Martovitsky, V.P. [et al.] // Journal of Alloys and Compounds. - 2021. - 880. - 10.1016/j.jallcom.2021.160555
Коллекции