Publication:
Compact modeling of electrical characteristics of p-MNOS based RADFETs

Дата
2019
Авторы
Mrozovskaya, E.
Zimin, P.
Chubunov, P.
Zebrev, G.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 SPIE. We simulated in this work the electrical characteristics of p-MNOS based dosimeters before and after irradiation. The parameters of dose sensitivity for the samples irradiated in the different electric modes of operation were obtained. A good agreement between simulation and the measurement results was shown.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Compact modeling of electrical characteristics of p-MNOS based RADFETs / Mrozovskaya, E. [et al.] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - 2019. - 11022. - 10.1117/12.2521703
URI
https://www.doi.org/10.1117/12.2521703
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85063435332&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000464735700017
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16761
Коллекции
Публикации