Publication: Исследование физико-технологических основ создания транзистора с каналом на основе графеносодержащей плёнки
| dc.contributor.advisor | Каргин Николай Иванович | |
| dc.contributor.author | Устюгова, А. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-02-13T07:52:49Z | |
| dc.date.available | 2025-02-13T07:52:49Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.description | Уровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 14.04.02; Группа: Т04-67МФ | |
| dc.description.abstract | В работе проведена отработка технологии создания транзистора на основе графенсодержащей пленки и продемонстрирован эффек поля в приборе. Измерены вольт-амперные характеристики полевого транзистора, каналом которого являлась графеносодержащая пленка. Была изготовлена тестовая структура графенового транзистора с нижним затвором. Графен был получен методом химического осаждения из газовой фазы, и затем перенесен на оксид кремния на кремнии. Канал транзистора был сформирован методом травления в кислородной плазме через фотолитографическую маску. Металлы электродов стока, истока и затвора были нанесены методом резистивного испарения в вакууме. Была выбрана конструкция титан/золото с толщинами 20/200 нм. Для создания нижнего затвора был использован тот же тип металлизации, контакт наносился на нижнюю часть подложки. Показан эффект поля в транзисторе на основе графенсодержащей пленки. При изменении управляющего напряжения затвор-исток от 40 до 80 В ток стока в транзисторной структуре с нижним затрвором уменьшается от 2 до 3 мА при напряжении сток-исток Uси = 2 В. На основании анализа передаточной функции транзистора определен сдвиг точки электронейтральности в положительную область, что говорит о дырочном типе проводимости канала и сильном влиянии диэлектрика на перенос заряда. | |
| dc.identifier.citation | Устюгова, А. В. Исследование физико-технологических основ создания транзистора с каналом на основе графеносодержащей плёнки : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 14.04.02 / А. В. Устюгова ; рук. работы Каргин Николай Иванович, 2016 | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/35062 | |
| dc.language | ru | ru |
| dc.subject | ВКР | |
| dc.subject | Выпускная квалификационная работа | |
| dc.title | Исследование физико-технологических основ создания транзистора с каналом на основе графеносодержащей плёнки | |
| dc.type | ВКР | |
| dspace.entity.type | Publication |