Publication: Исследование физико-технологических основ создания транзистора с каналом на основе графеносодержащей плёнки
Дата
2016
Авторы
Устюгова, А. В.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
В работе проведена отработка технологии создания транзистора на основе графенсодержащей пленки и продемонстрирован эффек поля в приборе. Измерены вольт-амперные характеристики полевого транзистора, каналом которого являлась графеносодержащая пленка. Была изготовлена тестовая структура графенового транзистора с нижним затвором. Графен был получен методом химического осаждения из газовой фазы, и затем перенесен на оксид кремния на кремнии. Канал транзистора был сформирован методом травления в кислородной плазме через фотолитографическую маску. Металлы электродов стока, истока и затвора были нанесены методом резистивного испарения в вакууме. Была выбрана конструкция титан/золото с толщинами 20/200 нм. Для создания нижнего затвора был использован тот же тип металлизации, контакт наносился на нижнюю часть подложки. Показан эффект поля в транзисторе на основе графенсодержащей пленки. При изменении управляющего напряжения затвор-исток от 40 до 80 В ток стока в транзисторной структуре с нижним затрвором уменьшается от 2 до 3 мА при напряжении сток-исток Uси = 2 В. На основании анализа передаточной функции транзистора определен сдвиг точки электронейтральности в положительную область, что говорит о дырочном типе проводимости канала и сильном влиянии диэлектрика на перенос заряда.
Описание
Уровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 14.04.02; Группа: Т04-67МФ
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Устюгова, А. В. Исследование физико-технологических основ создания транзистора с каналом на основе графеносодержащей плёнки : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 14.04.02 / А. В. Устюгова ; рук. работы Каргин Николай Иванович, 2016