Publication:
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ ПРОТЯЖЕННЫХ СТРУКТУР С ДИАМЕТРАМИ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ ФЕМТОСЕКУНДНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ ИМПУЛЬСАМИ

Простая страница элемента
dc.contributor.authorПикуз, С. А.
dc.contributor.authorМакаров, С. С.
dc.contributor.authorПикуз, Т. А.
dc.contributor.authorКузнецов, А. П.
dc.contributor.authorКузнецов, Андрей Петрович
dc.date.accessioned2024-11-22T12:05:40Z
dc.date.available2024-11-22T12:05:40Z
dc.date.issued2024
dc.descriptionПатент на изобретение
dc.description.abstractИзобретение относится к нанотехнологиям и микроструктурным технологиям. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания протяженных полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF с помощью когерентных рентгеновских импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле LiF лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и перемещения этого пятна с микронной точностью по поверхности кристалла, при этом для получения глубоких полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF используют когерентные фемтосекундные (20 фс) рентгеновские импульсы с длиной волны фотонов λ, равной 1,3776 Å, при которой длина затухания в структуре LiF равна 475 мкм. Изобретение обеспечивает возможность упрощения способа создания протяженных полостей субмикронного диаметра с аспектным соотношением порядка 1:1800 в кристалле LiF для создания фотонных кристаллов и фотонных волноводов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.
dc.identifier.citationСПОСОБ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ ПРОТЯЖЕННЫХ СТРУКТУР С ДИАМЕТРАМИ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ ФЕМТОСЕКУНДНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ ИМПУЛЬСАМИ / Пикуз С. А. [и др.]. - № 2023127844 ; Заявл. 30.10.2023. - 2024
dc.identifier.otherRU 2815615 C1
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/19777
dc.publisherНИЯУ МИФИ
dc.subjectЛазеры
dc.subjectМикроструктурные технологии
dc.subjectНанотехнологии
dc.subjectПатент
dc.titleСПОСОБ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ ПРОТЯЖЕННЫХ СТРУКТУР С ДИАМЕТРАМИ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ ФЕМТОСЕКУНДНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ ИМПУЛЬСАМИ
dc.typePatent
dspace.entity.typePublication
relation.isAuthorOfPublication03070330-f326-43d0-baa3-11c83f1811bb
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery03070330-f326-43d0-baa3-11c83f1811bb
relation.isOrgUnitOfPublicationdcdb137c-0528-46a5-841b-780227a67cce
relation.isOrgUnitOfPublication.latestForDiscoverydcdb137c-0528-46a5-841b-780227a67cce
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
elibrary_65133494_71197640.pdf
Size:
2.44 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции
Патенты