Publication: СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ ПРОТЯЖЕННЫХ СТРУКТУР С ДИАМЕТРАМИ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ ФЕМТОСЕКУНДНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ ИМПУЛЬСАМИ
Дата
2024
Авторы
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Изобретение относится к нанотехнологиям и микроструктурным технологиям. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания протяженных полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF с помощью когерентных рентгеновских импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле LiF лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и перемещения этого пятна с микронной точностью по поверхности кристалла, при этом для получения глубоких полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF используют когерентные фемтосекундные (20 фс) рентгеновские импульсы с длиной волны фотонов λ, равной 1,3776 Å, при которой длина затухания в структуре LiF равна 475 мкм. Изобретение обеспечивает возможность упрощения способа создания протяженных полостей субмикронного диаметра с аспектным соотношением порядка 1:1800 в кристалле LiF для создания фотонных кристаллов и фотонных волноводов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.
Описание
Патент на изобретение
Ключевые слова
Лазеры , Микроструктурные технологии , Нанотехнологии , Патент
Цитирование
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ ПРОТЯЖЕННЫХ СТРУКТУР С ДИАМЕТРАМИ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ ФЕМТОСЕКУНДНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ ИМПУЛЬСАМИ / Пикуз С. А. [и др.]. - № 2023127844 ; Заявл. 30.10.2023. - 2024