Publication:
E-beam longitudinal pumped semiconductor laser based on ZnCdS/ZnSSe type-II multi quantum well structure

Файлы
W3000280952.pdf(615.97 KB)
Дата
2020
Авторы
Sannikov, D. A.
Skasyrsky, Y. K.
Butaev, M. R.
Kozlovsky, V. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
© Published under licence by IOP Publishing Ltd.A ZnCdS/ZnSSe multi quantum well structure was grown by metal-organic vapor phase epitaxy on GaAs substrate. The structure is consisted of the 45 ZnCdS layers of 5 nm in thickness separated by the 100 nm thin ZnSSe barrier layers and was the type-II heterostructure. A microresonator was produced from this structure for scanning electron beam longitudinal pumping. Lasing with output power up to 2W at 478 nm was achieved at room temperature.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
E-beam longitudinal pumped semiconductor laser based on ZnCdS/ZnSSe type-II multi quantum well structure / Sannikov, D.A. [et al.] // Journal of Physics: Conference Series. - 2020. - 1439. - № 1. - 10.1088/1742-6596/1439/1/012017
URI
https://www.doi.org/10.1088/1742-6596/1439/1/012017
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85079101928&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/20258
Коллекции
Публикации