Publication:
ИССЛЕДОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДОВЕРЕННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ

Простая страница элемента
creativeworkseries.issn 2074-7128 (Print)
dc.contributor.authorАфанасьев, М. С.
dc.contributor.authorБеспалов, А. В.
dc.contributor.authorГераськин, А. А.
dc.contributor.authorГоликова, О. Л.
dc.contributor.authorКуликов, Д. В.
dc.contributor.authorМуравьёва, А. А.
dc.contributor.authorСмирнов, Д. О.
dc.contributor.authorХаритонов, И. А.
dc.contributor.authorШабардин, Р. С.
dc.date.accessioned2023-09-28T11:24:50Z
dc.date.available2023-09-28T11:24:50Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractМетодом кросс-секций, созданных с помощью фокусированного ионного пучка, экспериментально исследован процесс рекристаллизации, возникающей в алюминиевых (Al) проводниках интегральных микросхем (ИМС) при температуре +80°C, рассчитанных на работу в диапазоне –40°C – +60°C. На примере сравнительного анализа ИМС, использовавшихся в различных условиях эксплуатации, выявлен механизм электромиграции в Al проводниках, обусловленной подачей рабочего напряжения на ИМС, находящейся под воздействием повышенной температуры. Исследованы особенности дефектов, вызванных электромиграцией вещества, появившиеся вследствие рекристаллизационных процессов в Al. Определена причина появления этих процессов и предложены конструктивно-технологические решения, позволяющие повысить надежность Al проводников при повышенных температурах в условиях невозможности изменения технологического процесса производства ИМС. Полученные результаты могут использоваться при проектировании и разработке высоконадежных ИМС, а также в учебном процессе по специальностям, связанным с проектированием микроэлектроники и материаловедением.
dc.identifier.citationАФАНАСЬЕВ, Михаил С. et al. ИССЛЕДОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДОВЕРЕННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ. Безопасность информационных технологий, [S.l.], v. 30, n. 3, p. 116-125, сен. 2023. ISSN 2074-7136. Доступно на: <https://bit.spels.ru/index.php/bit/article/view/1538>. Дата доступа: 28 сен. 2023. doi:http://dx.doi.org/10.26583/bit.2023.3.08.
dc.identifier.doi10.26583/bit.2023.3.08
dc.identifier.issn2074-7136
dc.identifier.issn2074-7128
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/331
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.26583/bit.2023.3.08
dc.relation.ispartofBezopasnost informacionnyh tehnology
dc.subjectТемпературный диапазон
dc.subjectИнтегральная микросхема
dc.subjectЭлектромиграция
dc.subjectРекристаллизация
dc.subjectПроводники
dc.subjectАлюминий
dc.subjectДиффузия
dc.subjectНадежность
dc.titleИССЛЕДОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДОВЕРЕННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ
dc.typejournal-article
dspace.entity.typePublication
oaire.citation.issue3
oaire.citation.volume30
relation.isJournalIssueOfPublicationd006a8a8-b5ff-43d6-8fe0-7fd13a49fcc1
relation.isJournalIssueOfPublication.latestForDiscoveryd006a8a8-b5ff-43d6-8fe0-7fd13a49fcc1
relation.isJournalOfPublication3b9ae913-eaeb-4d29-a767-7f6ca8a0e066
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
1538-2229-3-PB.pdf
Size:
989.78 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции