Publication: ИССЛЕДОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДОВЕРЕННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ
Дата
2023
Авторы
Афанасьев, М. С.
Беспалов, А. В.
Гераськин, А. А.
Голикова, О. Л.
Куликов, Д. В.
Муравьёва, А. А.
Смирнов, Д. О.
Харитонов, И. А.
Шабардин, Р. С.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Методом кросс-секций, созданных с помощью фокусированного ионного пучка, экспериментально исследован процесс рекристаллизации, возникающей в алюминиевых (Al) проводниках интегральных микросхем (ИМС) при температуре +80°C, рассчитанных на работу в диапазоне –40°C – +60°C. На примере сравнительного анализа ИМС, использовавшихся в различных условиях эксплуатации, выявлен механизм электромиграции в Al проводниках, обусловленной подачей рабочего напряжения на ИМС, находящейся под воздействием повышенной температуры. Исследованы особенности дефектов, вызванных электромиграцией вещества, появившиеся вследствие рекристаллизационных процессов в Al. Определена причина появления этих процессов и предложены конструктивно-технологические решения, позволяющие повысить надежность Al проводников при повышенных температурах в условиях невозможности изменения технологического процесса производства ИМС. Полученные результаты могут использоваться при проектировании и разработке высоконадежных ИМС, а также в учебном процессе по специальностям, связанным с проектированием микроэлектроники и материаловедением.
Описание
Ключевые слова
Температурный диапазон , Интегральная микросхема , Электромиграция , Рекристаллизация , Проводники , Алюминий , Диффузия , Надежность
Цитирование
АФАНАСЬЕВ, Михаил С. et al. ИССЛЕДОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДОВЕРЕННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ. Безопасность информационных технологий, [S.l.], v. 30, n. 3, p. 116-125, сен. 2023. ISSN 2074-7136. Доступно на: <https://bit.spels.ru/index.php/bit/article/view/1538>. Дата доступа: 28 сен. 2023. doi:http://dx.doi.org/10.26583/bit.2023.3.08.