Publication:
Long-term Irradiation Effects in p-MNOS Transistor: Experiment Results

Дата
2022
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2022 SPIE.The dosimeters based on RADFETs are high actual for utilizing in space where the low dose rates irradiation prevails. The paper presents new experimental data on low-intensity irradiation of p-MNOS based RADFET. The obtained results were compared with the results of irradiation at high dose rates. The effect of ELDRS and the simultaneous annealing effect on different types of samples were discussed. The sensitivity of both types changed similarly at the range 1 - 100 rad(Si)/s. However, for dose rates less than 1 rad(Si)/s, the effect of the simultaneous annealing on change in the threshold voltage shift in time was clearly noticed only for samples with 500 nm oxide and absented for samples with 150 nm oxide.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Mrozovskaya, E. Long-term Irradiation Effects in p-MNOS Transistor: Experiment Results / Mrozovskaya, E., Chubunov, P., Zebrev, G. // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - 2022. - 12157. - 10.1117/12.2624612
Коллекции