Publication:
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Дата
2022
Авторы
Torkhov, N. A.
Gradoboev, A. V.
Toropov, A. S.
Orlova, K. N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2022 IOP Publishing Ltd.The size effect observed in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts (OCs) makes itself evident in the dependence of their relative electrical characteristics R SH, R SK, ρ and geometrical parameter L T on the LTLM test line width Wk . The paper explores the geometry of relief (topography) irregularities and their interface conductivity, indicating the great significance of the fractal geometry for the description of the electrophysical and device characteristics. The regularities discovered can be of great practical importance in terms of OC development and optimization for micro-/nanoelectronics demands.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures / Torkhov, N.A. [et al.] // Semiconductor Science and Technology. - 2022. - 37. - № 5. - 10.1088/1361-6641/ac557e
URI
https://www.doi.org/10.1088/1361-6641/ac557e
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85128915141&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000782265400001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/27873
Коллекции
Публикации