Publication:
Изучение влияния вариаций технологических параметров полупроводниковых структур на их радиационную стойкость методами эмиссионной микроскопии с лазерным возбуждением и сканирующей лазерной дефектоскопии

Простая страница элемента
dc.contributor.advisorШеляков Александр Васильевич
dc.contributor.authorНастулявичус, А. А.
dc.date.accessioned2025-02-13T07:48:05Z
dc.date.available2025-02-13T07:48:05Z
dc.date.issued2016
dc.descriptionУровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 14.04.02; Группа: М04-70
dc.identifier.citationНастулявичус, А. А. Изучение влияния вариаций технологических параметров полупроводниковых структур на их радиационную стойкость методами эмиссионной микроскопии с лазерным возбуждением и сканирующей лазерной дефектоскопии : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 14.04.02 / А. А. Настулявичус ; рук. работы Шеляков Александр Васильевич, 2016
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/34970
dc.languageruru
dc.subjectВКР
dc.subjectВыпускная квалификационная работа
dc.titleИзучение влияния вариаций технологических параметров полупроводниковых структур на их радиационную стойкость методами эмиссионной микроскопии с лазерным возбуждением и сканирующей лазерной дефектоскопии
dc.typeВКР
dspace.entity.typePublication
Файлы
Коллекции
Выпускные квалификационные работы