Publication:
Методы и средства прогнозирования радиационной стойкости микропроцессорных СБИС

Файлы
Nekrasov_Metody_i_sredstva_prognozirovaniya_radiacionnoj_2010.pdf(452.64 KB)
Дата
2010
Авторы
Некрасов, П. В.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
автореф. дис... кандидата техн. наук (05.13.05 - элементы и устройства вычислительной техники и систем управления)
Ключевые слова
Автор МИФИ , Влияние излучения на вещество , Микропроцессорные СБИС , 05.13.05 - элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Цитирование
Некрасов, П. В. Методы и средства прогнозирования радиационной стойкости микропроцессорных СБИС : автореф. дис... кандидата техн. наук (05.13.05 - элементы и устройства вычислительной техники и систем управления) / П. В. Некрасов ; рук. работы О. А. Калашников. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2010. - 27 с.
URI
https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/12939
 https://lib-repository.mephi.ru/abstracts_of_dissertations_mephi/Nekrasov_Metody_i_sredstva_prognozirovaniya_radiacionnoj_2010.pdf
Коллекции
Авторефераты диссертаций