Publication:
Infrared Diagnostics of Free Charge Carriers in Silicon Nanowires

Дата
2019
Авторы
Efimova, A. I.
Lipkova, E. A.
Gonchar, K. A.
Eliseev, A. A.
Timoshenko, V. Yu.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
Free charge carrier concentration in arrays of silicon nanowires (SiNWs) with cross-sectional size of the order of 100 nm was quantitatively studied by means of the infrared spectroscopy in an attenuated total reflection mode. SiNWs were formed on lightly-doped p-type crystalline silicon substrates by metal-assisted chemical etching followed by additional doping through thermo-activated diffusion of boron at 900-1000 degrees C. The latter process was found to increase the concentration of free holes in SiNWs up to (1-3) x 10(19) cm(-3). Potential applications of highly doped SiNWs in thermoelectric energy converters and infrared plasmonic devices are discussed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Infrared Diagnostics of Free Charge Carriers in Silicon Nanowires / Efimova, A, I [et al.] // International Journal of Nanoscience. - 2019. - 18. - № 3-4. - 10.1142/S0219581X19400301
Коллекции