Publication:
GaAs Molecular Beam Epitaxy on (110)-Oriented Substrates

Файлы
crystals-13-00028.pdf(9.71 MB)
Дата
2023
Авторы
Klimov, E.
Klochkov, A.
Pushkarev, S.
Galiev, G.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
GaAs Molecular Beam Epitaxy on (110)-Oriented Substrates / Klimov, E. [et al.] // Crystals. - 2023. - 13. - № 1. - 10.3390/cryst13010028
URI
https://www.doi.org/10.3390/cryst13010028
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85146752757&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000917028300001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/29933
Коллекции
Публикации