Publication: ПОИСК ОПТИМАЛЬНОЙ КОНСТРУКЦИИ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ МНЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР In0.68Al0.32As/In0.72Ga0.28As/GaAs
dc.contributor.author | Галиев, Г. Б. | |
dc.contributor.author | Пушкарёв, С. С. | |
dc.contributor.author | Васильевский, И. С. | |
dc.contributor.author | Кванин, А. Л. | |
dc.contributor.author | Климов, Е. А. | |
dc.contributor.author | Васильевский, Иван Сергеевич | |
dc.date.accessioned | 2024-04-25T14:45:09Z | |
dc.date.available | 2024-04-25T14:45:09Z | |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.description.abstract | В настоящее время обнаруживается тенденция вытеснения НЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP, являющихся базой для СВЧ электроники микроволнового диапазона, метаморфными НЕМТ (МНЕМТ) наногетероструктурами. Причина заключается в открывающейся возможности использовать более надёжные и дешёвые подложки GaAs вместо InP и выбирать нужный состав активной области. Эпитаксиально выращенные МНЕМТ наногетероструктуры характеризуются двумя важными параметрами. Первый параметр – плотность дислокаций, прорастающих в активные слои и на поверхность, – во многом определяет подвижность электронов. Второй параметр – шероховатость поверхности, имеющей характерный для метаморфных структур поперечнополосатый рельеф, эта величина влияет на успешное создание наноразмерных топологий при изготовлении МИС. | |
dc.identifier.citation | ПОИСК ОПТИМАЛЬНОЙ КОНСТРУКЦИИ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ МНЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР In0.68Al0.32As/In0.72Ga0.28As/GaAs //Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 20-21. | |
dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10189 | |
dc.publisher | НИЯУ МИФИ | |
dc.title | ПОИСК ОПТИМАЛЬНОЙ КОНСТРУКЦИИ МЕТАМОРФНОГО БУФЕРА ДЛЯ МНЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР In0.68Al0.32As/In0.72Ga0.28As/GaAs | |
dc.type | тезисы | |
dspace.entity.type | Publication | |
relation.isAuthorOfPublication | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 | |
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 |