Publication:
Curvature-induced effects in semiconducting alkaline-earth metal silicide nanotubes

Дата
2021
Авторы
Alekseev, A. Y.
Filonov, A. B.
Chernykh, A. G.
Skorodumova, N. V.
Migas, D. B.
Borisenko, V. E.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020 Elsevier B.V.By means of ab-initio techniques we have investigated changes in the structure and electronic properties of alkaline-earth metal silicide (Ca2Si, Mg2Si and MgCaSi) nanotubes caused by the curvature-induced effects. It is revealed that the curvature-induced effects can: 1) stabilize Mg2Si nanotubes in a phase, which is metastable for the parent 2D Mg2Si; 2) lead to an energy gain as a result of 2D to nanotube structural transformation in the case of ternary MgCaSi nanotubes; 3) modify the band dispersion and band gaps for nanotubes with the diameters less than 30 Å. In addition, Mg2Si and MgCaSi nanotubes are found to be direct band-gap (0.5–1.2 eV) materials with appreciable oscillator strength of the first direct transitions.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Curvature-induced effects in semiconducting alkaline-earth metal silicide nanotubes / Alekseev, A.Y. [et al.] // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. - 2021. - 128. - 10.1016/j.physe.2020.114582
Коллекции